[发明专利]基片输送装置和基片输送方法

说明书

本发明的实施方式的基片输送装置包括保持部(80)和供给部(81)。保持部(80)保持在正面(Wa)形成有图案的基片。供给部(81)将使保持于保持部(80)的基片的正面(Wa)局部地成为低氧状态的非活性气体(G)供给到基片的正面(Wa)。

技术领域

本发明的实施方式涉及基片输送装置和基片输送方法。

背景技术

一直以来，已知并排设置有对半导体基片、玻璃基片等基片进行规定的基片处理的多个处理单元的基片处理装置。该基片处理装置设置有为了对各处理单元输送基片而沿并排设置的处理单元输送基片的基片输送装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-22570号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供能够不消耗大量的非活性气体而抑制基片的正面在输送中被氧化的基片输送装置和基片输送方法。

用于解决技术问题的技术方案

实施方式的一个方式的基片输送装置包括保持部和供给部。上述保持部保持在正面形成有图案的基片。上述供给部将使保持于上述保持部的上述基片的上述正面局部地成为低氧状态的非活性气体供给到上述基片的上述正面。

发明效果

依照本发明，能够不消耗大量的非活性气体而抑制基片的正面在输送中被氧化。

附图说明

图1是表示第1实施方式的基片处理系统的概略结构的示意图。

图2是表示处理单元的结构的示意图。

图3A是表示第1实施方式的基片输送装置的示意性的结构的立体图。

图3B是表示第1实施方式的基片输送装置的示意性的结构的侧截面图。

图4是表示第1实施方式的变形例的基片输送装置的示意性的结构的侧截面图。

图5是表示第2实施方式的基片输送装置的示意性的结构的侧截面图。

图6是表示第2实施方式的变形例1的基片输送装置的示意性的结构的侧截面图。

图7是表示第2实施方式的变形例2的基片输送装置的示意性的结构的侧截面图。

图8是表示第2实施方式的变形例3的基片输送装置的示意性的结构的侧截面图。

图9是表示基片输送装置执行的输送处理的处理顺序的流程图。

图10是表示第2实施方式的变形例4的基片输送方法的示意图。

图11A是表示第2实施方式的变形例5的基片处理系统的俯视图。

图11B是表示第2实施方式的变形例5的基片处理系统的侧视图。

图12是表示第2实施方式的变形例5的基片输送方法的示意图。

图13是表示第2实施方式的变形例6的基片输送方法的示意图。

具体实施方式

以下，参照附图，对本发明公开的基片输送装置和基片输送方法的各实施方式进行详细说明。此外，本发明不限于以下所示的各实施方式。

一直以来，已知并排设置有对半导体基片、玻璃基片等基片进行规定的基片处理的多个处理单元的基片处理装置。该基片处理装置设置有为了对各处理单元输送基片而沿并排设置的处理单元输送基片的基片输送装置。