[发明专利]显示装置和电子设备有效

专利信息
申请号: 201880045105.5 申请日: 2018-06-27
公开(公告)号: CN110832954B 公开(公告)日: 2023-04-04
发明(设计)人: 大地朋和 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H05B33/22 分类号: H05B33/22;G09F9/30;H10K59/122;H10K50/10;H05B33/12
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 显示装置 电子设备
【权利要求书】:

1.一种显示装置,包括

发光单元,每个发光单元通过堆叠第一电极、有机层以及第二电极而形成,所述发光单元以二维矩阵形式形成并布置在基板上,其中,

为每个发光单元提供所述第一电极,

在所述第一电极的相对端处形成间隔墙,

所述有机层和所述第二电极堆叠在整个表面上,所述整个表面包括在所述第一电极上的一部分和在所述间隔墙上的一部分,

在所述第二电极上形成填充所述间隔墙之间的凹部的填充层,

所述间隔墙包括多层叠层,所述多层叠层包括至少两层,所述至少两层在所述第一电极上表面上方延伸,所述多层叠层包括下层部和位于所述下层部上方的上层部,并且

从所述发光单元发射的光的至少一部分在所述间隔墙的所述上层部的表面上被全反射,并且从所述发光单元发射的光在所述间隔墙的所述下层部的表面上未被全反射,

所述下层部具有上表面并且所述上层部具有下表面,

从距所述间隔墙之一最远距离处的所述发光单元发射的光被配置为在所述第一电极的所述上表面上方的预定高度处进入所述间隔墙之一,

所述上层部的所述下表面被配置为在所述预定高度处或低于所述预定高度,并且所述下层部的所述上表面被配置为低于所述预定高度。

2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

所述间隔墙的所述上层部包括无机氧化物。

3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,

所述间隔墙的所述上层部包括氧化硅。

4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

所述间隔墙的所述下层部包括无机氮化物。

5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,

所述间隔墙的所述下层部包括氮化硅。

6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

所述间隔墙的所述下层部包括无机氧氮化物。

7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,

所述间隔墙的所述下层部包括氮氧化硅。

8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

所述间隔墙的所述下层部包括树脂材料。

9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,

所述间隔墙的所述下层部包括聚酰亚胺树脂或丙烯酸树脂。

10.根据权利要求1所述的显示装置,还包括

滤色器,所述滤色器被设置在所述发光单元上方。

11.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

所述间隔墙的所述上层部各自包括在下层部侧的第一上层部和在所述第一上层部上方的第二上层部,并且

所述第二上层部包括与形成所述下层部的材料相同的材料,

所述第一上层部包括与形成所述下层部的材料不同的材料。

12.一种包括显示装置的电子设备,其中,

所述显示装置包括

发光单元,每个发光单元通过堆叠第一电极、有机层以及第二电极而形成,所述发光单元以二维矩阵形式形成并布置在基板上,其中,

为每个发光单元提供所述第一电极,

在所述第一电极的相对端处形成间隔墙,

所述有机层和所述第二电极堆叠在整个表面上,所述整个表面包括在所述第一电极上的一部分和在所述间隔墙上的一部分,

在所述第二电极上形成填充所述间隔墙之间的凹部的填充层,

所述间隔墙包括多层叠层,所述多层叠层包括至少两层,所述至少两层在所述第一电极上表面上方延伸,所述多层叠层包括下层部和位于所述下层部上方的上层部,并且

从所述发光单元发射的光的至少一部分在所述间隔墙的所述上层部的表面上被全反射,并且从所述发光单元发射的光在所述间隔墙的所述下层部的表面上未被全反射,

所述下层部具有上表面并且所述上层部具有下表面,

从距所述间隔墙之一最远距离处的所述发光单元发射的光被配置为在所述第一电极的所述上表面上方的预定高度处进入所述间隔墙之一,

所述上层部的所述下表面被配置为在所述预定高度处或低于所述预定高度,并且所述下层部的所述上表面被配置为低于所述预定高度。

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