[发明专利]石墨烯转移方法

权利要求书

1.一种用于将石墨烯层转移到聚合物基材上的方法，包括：

a.在基材上提供石墨烯层；

b.使所述石墨烯层与所述聚合物基材接触，从而形成夹层结构；

c.将溶剂施加到所述夹层结构上；

d.从所述夹层结构中去除所述溶剂，以及

e.移除所述基材。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，从所述夹层结构中去除溶剂的步骤引起在所述石墨烯与所述聚合物基材之间形成范德华相互作用，所述范德华相互作用具有足够的力以将所述石墨烯粘附至所述聚合物基材。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述石墨烯和所述聚合物基材间隔约0.6nm至约1nm的平均距离。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基材包括铂、钴、镍或铜。

5.根据权利要求1的方法，其中将所述溶剂施加到所述夹层结构的步骤包括将所述溶剂施加到所述聚合物基材的表面。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述聚合物基材包括平均直径大于约1nm的孔。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述聚合物基材的平均厚度小于400nm。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述所述聚合物基材包括超高分子量聚乙烯(UHMWPE)。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述UHMWPE具有约100万至约700万amu的平均分子量。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述UHMWPE是单轴或双轴取向的UHMWPE。

11.根据权利要求1的方法，其中所述溶剂选自由以下组成的组：酮、醇、酯、醚、烷基卤化物、烷烃、芳基及其组合。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述聚合物基材是UHMWPE，并且所述方法包括：

a.在铜基材上提供石墨烯层；

b.使所述石墨烯层与所述UHMWPE基材接触，从而形成夹层结构，其中，所述UHMPE基材是单轴或双轴取向的UHMWPE，其平均分子量为约100万至约700万amu，并且平均厚度小于400nm；

c.将溶剂施加到所述UHMWPE基材的表面上；

d.从所述夹层结构中除去溶剂，从而诱导在所述石墨烯层和所述UHMWPE基材之间形成范德华相互作用，该范德华相互作用具有足够的力将所述石墨烯层粘附到所述UHMWPE基材上；和

e.去除所述铜基材。

13.一种复合材料，其包括在第一UHMWPE基材的第一表面上的第一石墨烯层，其中所述第一石墨烯层和所述第一UHMWPE基材之间的距离为约0.6至约1nm，并且所述第一石墨烯层和所述第一UHMWPE基材由具有足够的力的范德华相互作用结合在一起，以将所述第一石墨烯层物理粘附到所述第一UHMWPE基材上。

14.根据权利要求13的复合材料，其中所述第一UHMWPE基材的平均分子量为约100万至约700万amu。

15.根据权利要求13的复合材料，其中所述第一UHMWPE基材的平均厚度小于400nm。

16.根据权利要求13所述的复合材料，其中所述第一石墨烯层是石墨烯单层。

17.根据权利要求13所述的复合材料，还包括第二石墨烯层，所述第二石墨烯层设置在所述第一UHMWPE基材的与所述第一石墨烯层相对的面上。