[发明专利]晶片切割过程中颗粒污染的减轻

权利要求书

1.一种切割在其上具有多个集成电路的晶片的方法，所述方法包括：

将所述晶片切割成多个单切裸片，所述多个单切裸片设置在切割带上；

在将所述晶片切割成所述多个单切裸片之后，在所述切割带上的所述多个单切裸片上方和之间形成材料层；及

使所述切割带扩展，其中在所述扩展的步骤期间在所述材料层上收集多个颗粒。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个颗粒的来源是所述晶片的围绕所述多个单切裸片的一部分。

3.根据权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括：

用液体介质去除所述材料层和所述多个颗粒。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述材料层是水溶性材料层，并且所述材料层和所述多个颗粒用水性介质去除。

5.根据权利要求4所述的方法，其中在将所述晶片切割成所述多个单切裸片的期间中将水溶性掩模设置在所述晶片上，并且其中在用所述水性介质去除所述水溶性材料层的步骤期间去除所述水溶性掩模。

6.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述材料层的步骤包括形成水溶性材料层。

7.根据权利要求6所述的方法，所述方法进一步包括：

在使所述切割带扩展之前烘烤所述水溶性材料层。

8.根据权利要求6所述的方法，其中形成所述水溶性材料层的步骤包括形成选自由以下项组成的群组中的材料：聚乙烯醇、聚丙烯酸、葡聚糖、聚甲基丙烯酸、聚乙烯亚胺及聚环氧乙烷。

9.根据权利要求6所述的方法，其中所述水溶性材料层在水溶液中的蚀刻速率在每分钟1-15微米的范围内。

10.根据权利要求6所述的方法，其中形成所述水溶性材料层的步骤包括旋涂所述水溶性材料层。

11.根据权利要求1所述的方法，其中将所述晶片切割成所述多个单切裸片的步骤包括使用激光烧蚀工艺或使用激光划片加上等离子体蚀刻混合切割工艺。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述切割带容纳在框架中。

13.一种切割的晶片装置，所述装置包括：

多个单切裸片，所述多个单切裸片设置在扩展的切割带上；

水溶性掩模，所述水溶性掩模设置在所述多个单切裸片中的每一个上；

水溶性材料层，所述水溶性材料层设置在所述扩展的切割带上的所述多个单切裸片上方和之间，其中所述水溶性掩模在所述多个单切裸片中的每一个的顶表面与所述水溶性材料层之间；及

多个颗粒，所述多个颗粒在所述水溶性材料层上。

14.根据权利要求13所述的装置，其中所述水溶性材料层包括选自由以下项组成的群组中的材料：聚乙烯醇、聚丙烯酸、葡聚糖、聚甲基丙烯酸、聚乙烯亚胺和聚环氧乙烷。