[发明专利]在具有宽系统接口的存储器中的多电平信令

权利要求书

1.一种电子存储器设备，其包括：

存储器单元阵列；

控制器，其经配置以控制对所述存储器单元阵列的存取；

内插器，其可操作地耦合所述存储器单元阵列与所述控制器，所述内插器包含所述存储器单元阵列与所述控制器之间的多个信道；及

接收器，其经配置以解码跨所述内插器的至少一个信道传达的使用具有至少三个电平的第一调制方案调制的多电平信号。

2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：

驱动器，其经配置以至少部分基于多个信息位产生跨所述内插器的所述至少一个信道发射的所述多电平信号。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述接收器进一步包括：

多个比较器，每一比较器经配置以比较所述多电平信号与电压阈值。

4.根据权利要求3所述的设备，其中所述接收器进一步包括：

解码器，其经配置以至少部分基于从所述多个比较器的一组比较器接收的信息确定由所述多电平信号表示的多个位。

5.根据权利要求1所述的设备，其中：

由所述多电平信号的振幅表示多个信息位。

6.根据权利要求1所述的设备，其中：

使用脉冲振幅调制PAM方案用信息编码所述多电平信号。

7.根据权利要求1所述的设备，其中：

所述控制器跨所述内插器的所述多个信道的子集将所述多电平信号发射到所述存储器单元阵列。

8.根据权利要求1所述的设备，其中：

所述控制器使用所述内插器的单向信道发射所述多电平信号。

9.根据权利要求1所述的设备，其中：

所述存储器单元阵列跨所述内插器的所述多个信道的子集将所述多电平信号发射到所述控制器。

10.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：

衬底，其由第一材料形成，其中所述内插器由不同于所述第一材料的第二材料形成。

11.根据权利要求10所述的设备，其中：

所述第二材料包括硅。

12.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：

第二存储器单元阵列，其堆叠于所述存储器单元阵列的顶部上，其中所述第二存储器单元阵列通过所述内插器与所述控制器可操作地耦合。

13.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：

输入/输出装置，其与所述存储器单元阵列及所述内插器耦合，其中所述输入/输出装置经配置以缓冲使用所述存储器单元阵列传达的信息。

14.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：

驱动器，其经配置以使用格雷编码或数据总线反转或两者编码数据。

15.一种方法，其包括：

通过存储器装置的控制器识别待写入到存储器单元阵列的信息；

通过所述控制器产生使用具有表示所述经识别信息的多个位的至少三个电平的第一调制方案调制的多电平信号；及

通过所述控制器跨包含多个信道的内插器将所述多电平信号发射到所述存储器单元阵列。

16.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括：

通过所述存储器单元阵列确定所述多电平信号的振幅是否满足一或多个阈值。

17.根据权利要求16所述的方法，其进一步包括：

通过所述存储器单元阵列至少部分基于所述多电平信号所满足的所述一或多个阈值的阈值数目识别由所述多电平信号表示的所述多个位。