[发明专利]衬底处理方法和设备

权利要求书

1.一种处理衬底上的材料层的方法，包括：

通过匹配网络将RF功率从RF电源输送到喷头以点燃电容耦合等离子体腔室的处理区域内的等离子体，其中输送RF功率包括：

相对于所输送的RF功率的基本频率的相位测量所述所输送的RF功率的一个或多个谐波信号的一个或多个相位角；以及

基于一个或多个相位角测量来相对于所述所输送的RF功率的所述基本频率的所述相位调整所述所输送的RF功率的至少一个谐波信号的所述至少一个相位角，使得所述所输送的RF功率的所述至少一个谐波信号的所述至少一个相位角相对于所述所输送的RF功率的所述基本频率的所述相位从所述所输送的RF功率的所述基本频率的所述相位偏移，其中所述调整所述所输送的RF功率的至少一个谐波信号的所述至少一个相位角包括修改所述匹配网络中的电容或电感。

2.如权利要求1所述的方法，其中经调整的所述至少一个相位角是所述所输送的RF功率的二次谐波信号或三次谐波信号的相位角。

3.如权利要求1所述的方法，其中相对于所述所输送的RF功率的所述基本频率的所述相位调整所述所输送的RF功率的所述至少一个谐波信号的所述至少一个相位角还基于正在处理的特定材料层。

4.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括将所述RF电源的阻抗与RF负载的阻抗匹配，其中所述阻抗匹配与调整所述至少一个谐波信号的所述至少一个相位角分开地执行。

5.如权利要求1所述的方法，其中通过修改所述匹配网络中的至少一个电感和至少两个电容来调整所述至少一个相位角。

6.如权利要求1所述的方法，其中通过修改所述匹配网络中的至少一个电容和至少两个电感来调整所述至少一个相位角。

7.如权利要求1所述的方法，其中调整所述至少一个谐波相位而不修改与RF负载的阻抗相匹配的所述RF电源的总阻抗，其中所述RF负载包括被点燃的等离子体。

8.一种处理衬底上的材料层的方法，包括：

通过匹配网络将RF功率从RF电源输送到喷头以点燃电容耦合等离子体腔室内的等离子体，其中输送RF功率包括：

相对于所输送的RF功率的基本频率的相位测量所述所输送的RF功率的一个或多个谐波信号的一个或多个相位角；以及

基于一个或多个相位角测量来调整所述匹配网络中的至少一个电子部件的阻抗，使得所述所输送的RF功率的所述一个或多个谐波信号的所述一个或多个相位角相对于所述所输送的RF功率的所述基本频率的所述相位被控制为从所述所输送的RF功率的所述基本频率的所述相位偏移。

9.如权利要求8所述的方法，其中基于所述所输送的RF功率的二次谐波信号的相位角测量来调整所述至少一个电子部件的所述阻抗。

10.如权利要求8所述的方法，其中基于所述所输送的RF功率的三次谐波信号的相位角测量来调整所述至少一个电子部件的所述阻抗。

11.如权利要求8所述的方法，其中所述调整至少一个电子部件的阻抗包括修改所述匹配网络中的至少一个电感和至少两个电容。

12.如权利要求8所述的方法，其中所述调整至少一个电子部件的阻抗包括修改所述匹配网络中的至少一个电容和至少两个电感。

13.如权利要求8所述的方法，其中所述调整至少一个阻抗包括修改至少三个电子部件的阻抗而不修改与RF负载的阻抗相匹配的所述RF电源的总阻抗，其中所述RF负载包括被点燃的等离子体。

14.一种处理衬底上的材料层的方法，包括：

通过匹配网络将RF功率从RF电源输送到喷头以点燃电容耦合等离子体腔室的处理区域内的等离子体，其中输送RF功率包括：

相对于所输送的RF功率的基本频率的相位测量所述所输送的RF功率的一个或多个谐波信号的一个或多个相位角；以及

基于一个或多个相位角测量来相对于所述所输送的RF功率的所述基本频率的所述相位调整所述所输送的RF功率的至少一个谐波信号的至少一个相位角，使得所述所输送的RF功率的所述至少一个谐波信号的所述至少一个相位角相对于所述所输送的RF功率的所述基本频率的所述相位从所述所输送的RF功率的所述基本频率的所述相位偏移，其中所述所输送的RF功率的所述至少一个谐波信号的所述至少一个相位角通过以下来调整：

修改所述匹配网络中的至少一个电感和至少两个电容；或

修改所述匹配网络中的至少一个电容和至少两个电感。