[发明专利]摄像装置及电子设备有效
| 申请号： | 201880045604.4 | 申请日： | 2018-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN110870299B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 小林英智;玉造祐树;楠本直人 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H04N5/3745 | 分类号： | H04N5/3745;H01L21/8242;H01L27/108;H01L27/146;H04N5/225 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 摄像 装置 电子设备 | ||
1.一种摄像装置，包括：
光电转换元件；
第一晶体管；
第二晶体管；以及
第一反相器电路，
其中，所述第一反相器电路具有CMOS电路的结构，
所述光电转换元件的一个电极与所述第一晶体管的源极和漏极中的一个电连接，
所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接，
所述第二晶体管的源极和漏极中的一个与所述第一反相器电路的输入端子电连接，
所述第一晶体管和所述第二晶体管各自在沟道形成区域中包含金属氧化物，
并且所述第一反相器电路所包括的n型晶体管具有半导体层、隔着所述半导体层彼此对置的第一栅极及第二栅极。
2.一种摄像装置，包括：
光电转换元件；
第一晶体管；
第二晶体管；
第一反相器电路；以及
第二反相器电路，
其中所述第一反相器电路和所述第二反相器电路各自具有CMOS电路的结构，
所述光电转换元件的一个电极与所述第一晶体管的源极和漏极中的一个电连接，
所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接，
所述第二晶体管的源极和漏极中的一个与所述第一反相器电路的输入端子电连接，
所述第一晶体管和所述第二晶体管各自在沟道形成区域中包含金属氧化物，
并且所述第二反相器电路的输入端子与所述第一反相器电路的输出端子电连接。
3.一种摄像装置，包括：
光电转换元件；
第一晶体管；
第二晶体管；
第一反相器电路；
第二反相器电路；以及
第三晶体管，
其中所述第一反相器电路和所述第二反相器电路各自具有CMOS电路的结构，
所述光电转换元件的一个电极与所述第一晶体管的源极和漏极中的一个电连接，
所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接，
所述第二晶体管的源极和漏极中的一个与所述第一反相器电路的输入端子电连接，
所述第一晶体管和所述第二晶体管各自在沟道形成区域中包含金属氧化物，
所述第二反相器电路的输入端子与所述第一反相器电路的输出端子电连接，
所述第三晶体管的栅极与所述第一反相器电路的输出端子电连接，
并且所述第三晶体管的源极和漏极中的一个与所述第一反相器电路的输入端子电连接。
4.根据权利要求2所述的摄像装置，还包括：
第一电容器，
其中所述第一电容器的一个电极与所述第二反相器电路的输出端子电连接，
并且所述第一电容器的另一个电极与所述第一反相器电路的输入端子电连接。
5.根据权利要求2所述的摄像装置，还包括：
第二电容器，
其中所述第二电容器的一个电极与所述第一反相器电路的输出端子电连接，
并且所述第二电容器的另一个电极与所述第一反相器电路的输入端子电连接。
6.根据权利要求1所述的摄像装置，还包括：
第五晶体管；
第六晶体管；以及
第七晶体管，
其中所述第五晶体管的源极和漏极中的一个与所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个电连接，
所述第五晶体管的源极和漏极中的一个与所述第六晶体管的栅极电连接，
所述第六晶体管的源极和漏极中的一个与所述第七晶体管的源极和漏极中的一个电连接，
并且所述第六晶体管的源极和漏极中的一个与所述第五晶体管的栅极电连接。
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