[发明专利]流体控制装置在审

专利信息
申请号: 201880045775.7 申请日: 2018-07-20
公开(公告)号: CN110914959A 公开(公告)日: 2020-03-24
发明(设计)人: 日高敦志;中谷贵纪;中辻景介;平尾圭志;皆见幸男;池田信一 申请(专利权)人: 株式会社富士金
主分类号: H01L21/31 分类号: H01L21/31;C23C16/448;H05B3/00
代理公司: 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 代理人: 刘春成;刘春燕
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 流体 控制 装置
【说明书】:

本发明提供一种为了使用加热器适当地进行原料的供给的流体控制装置(100),其具备:在内部设置有流路或流体容纳部的流体加热部(1);以及对流体加热部进行加热的加热器(10),加热器具有发热体(10a)和金属制的传热部件(10b),传热部件(10b)与发热体热连接,并以包围流体加热部的方式配置,传热部件的与流体加热部对向的面包含为了提高散热性而被表面处理了的面(S1)。

技术领域

本发明涉及一种在半导体制造装置或化工厂中使用的流体控制装置,尤其涉及一种具备用于加热流体的加热器的流体控制装置。

背景技术

以往,在例如通过金属有机化学气相沉积法(MOCVD)进行成膜的半导体制造装置中,使用用于向处理腔室供给原料气体的原料气化供给装置(例如专利文献1)。

在原料气化供给装置中,例如,将TEOS(Tetraethyl orthosilicate)等有机金属的液体原料预先储存于储液罐,将加压了的惰性气体供给到储液罐,以恒定压力将液体原料挤出而供给到气化器。被供给的液体原料通过配置在气化器的周围的加热器而被气化,气化了的气体通过流量控制装置被控制为规定流量而被供给到半导体制造装置。

原料中使用的有机金属材料中也有沸点超过150℃的材料,例如上述TEOS的沸点约为169℃。因此,原料气化供给装置构成为能够将液体原料加热到较高的温度、例如200℃以上的温度。

另外,在原料气化供给装置中,为了防止气化了的原料的凝结(再液化),要求通过被加热成高温的流路将气体供给至处理腔室。进而,为了有效地进行有机金属材料的气化,存在在供给到气化器之前预先加热液体原料的情况。因此,在原料气化供给装置中,将加热器配置在必要的部位,该加热器用于将设置有流路或流体容纳部的流体加热部(气化器等)加热至高温。

在专利文献2中公开了一种气化供给装置,其具备:对原料液体进行预加热的预加热部;使由预加热部加热的原料液体气化的气化器;以及控制气化了的气体的流量的高温对应型的压力式流量控制装置。在专利文献2所记载的气化供给装置中,作为用于加热气化器的主体、流路等的单元,使用套式加热器。套式加热器以覆盖气化器、配管等的方式从外侧紧密地安装,通过使电流流过套式加热器内的发热线(镍铬合金线等)而能够从外侧加热流体。

现有的技术文献

专利文献

专利文献1:日本专利特开2014-114463号公报

专利文献2:国际公开第2016/174832号

套式加热器由于装卸比较容易而具有便利性高的优点。然而,另一方面,在使用套式加热器的情况下,由于在套式加热器与流体加热部之间形成间隙等,因此存在容易产生因位置不同而引起的导热性的偏差,可能难以均匀地加热内部的流体的问题。另外,在套式加热器中,为了提高热均匀性,需要在较宽的范围内均等地配置发热线,因此还存在制作花费时间和成本的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述课题而完成的,其主要目的在于提供一种能够使用加热器有效且均匀地加热并供给原料的流体控制装置。

根据本发明的实施方式的流体控制装置,具备:流体加热部,所述流体加热部在内部设置有流路或流体容纳部;和加热器,所述加热器对所述流体加热部进行加热,所述加热器具有发热体和传热部件,所述传热部件与所述发热体热连接,并以包围所述流体加热部的方式配置,所述传热部件的与所述流体加热部对向的面包含为了提高散热性而被表面处理了的面。

在一实施方式中,所述传热部件由铝或铝合金形成,为了提高所述散热性而被表面处理了的面是被氧化铝膜处理了的面。

在一实施方式中,所述传热部件具有内侧面和外侧面,所述内侧面是与所述流体加热部对向的面,所述外侧面位于所述内侧面的相反侧,所述外侧面包含研磨面。

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