[发明专利]封装装置以及半导体装置的制造方法

说明书

一种封装装置，其将半导体芯片12接合于作为基板30或其它半导体芯片12的被封装体而制造半导体装置，所述封装装置包括：平台120，载置有所述基板30；封装头124，相对于所述平台120可进行相对移动，并将所述半导体芯片12接合于所述被封装体；照射单元108，透射所述平台，并且自平台120的下侧照射对所述基板30进行加热的电磁波，所述平台120具有形成于上表面侧的第一层122，且第一层122的面方向上的热阻力大于厚度方向上的热阻力。

技术领域

本发明书公开一种将半导体芯片接合于作为基板或其它半导体芯片的被封装体而制造半导体装置的封装装置以及半导体装置的制造方法。

背景技术

在将半导体芯片接合于基板或其它半导体芯片上的情况下，通常利用已加热的封装头对半导体芯片进行加热加压。但是仅利用来自封装头的热，难以对作为接合对象的半导体芯片进行适当的加热。尤其，近年来为了实现半导体装置的更高功能化、小型化，而提出将多个半导体芯片层叠而进行封装。所述情况下，为了缩短封装处理的时间，存在一边将多个半导体芯片进行暂时压接一边进行层叠后，对所述多个半导体芯片成批地进行正式压接的情况。即，存在对多个半导体芯片以暂时压接状态进行层叠而形成暂时层叠体后，利用已加热的封装头对所述暂时层叠体的上表面进行加热加压而进行正式压接的情况。所述情况下，仅利用来自封装头的热，难以适当地加热至暂时层叠体的最下层的半导体芯片。因此，自以前开始，在对半导体装置进行接合时，对载置有基板的平台整体进行加热。由此，可自半导体芯片的上下两侧进行加热。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2010/050209号

专利文献2：日本专利第3833531号公报

专利文献3：日本专利第4001341号公报

发明内容

发明所要解决的问题

但是，在对平台整体进行加热的情况下，配置于与作为接合对象(加热对象)的半导体芯片不同部位的半导体芯片也被持续加热。结果在半导体芯片中被长时间输入热。此种长期的热输入会导致半导体芯片，尤其是设置于半导体芯片的底面的非导电性膜(NonConductive Film)等树脂的劣化，甚至导致封装质量的下降。

为了避免所述问题，也考虑在平台的多个部位预先设置脉冲式加热器(pulseheater)等局部加热用的加热器，且仅接通所需部位的加热器。但是，在将此种局部加热用的加热器埋入平台的情况下，难以维持平台的平坦度，甚至会导致封装质量的下降。

另外，在专利文献1-专利文献3中，公开有一种利用自平台的背侧照射的光来对基板进行光加热的技术，但这些技术均未充分考虑对基板进行局部加热。

因此，本说明书中提供一种能对作为接合对象的半导体芯片进行适当的加热，另一方面能抑制向其它半导体芯片的热输入的封装装置以及半导体装置的制造方法。

解决问题的技术手段

本说明书中公开的封装装置将半导体芯片接合于作为基板或其它半导体芯片的被封装体而制造半导体装置，所述封装装置的特征在于包括：平台，具有直接或经由中间构件载置所述基板的第一面、以及与所述第一面为相反侧的第二面；封装头，相对于所述平台能够进行相对移动，并将所述半导体芯片接合于所述被封装体；以及照射单元，透射所述平台，并且自所述第二面侧照射对所述基板或所述中间构件进行加热的电磁波，所述平台具有形成于所述第一面侧的第一层，且所述第一层的面方向上的热阻力大于厚度方向上的热阻力。

可为：所述基板热压接有多个所述半导体芯片，所述照射单元包括变更部件，所述变更部件对所述第一面的所述电磁波的照射区域、以及所述第一面的所述电磁波的照射位置的至少一者进行变更。