[发明专利]单层PCB上的宽带波导发射设计有效
申请号: | 201880046996.6 | 申请日: | 2018-05-03 |
公开(公告)号: | CN111164825B | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | H.K.潘;A.布朗;E.麦克洛斯基 | 申请(专利权)人: | 伟摩有限责任公司 |
主分类号: | H01P3/02 | 分类号: | H01P3/02;H01P3/08 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 金玉洁 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单层 pcb 宽带 波导 发射 设计 | ||
1.一种电磁装置,包括:
波导耦合端口;以及
辐射结构,被设置在电磁地耦合到所述波导耦合端口的电路板上,其中:
所述辐射结构包括电场耦合部件和磁场耦合部件,
所述电场耦合部件被配置为在所述辐射结构和所述波导耦合端口之间耦合电场,其中所述电场耦合部件的每一侧包括一个或多个切口,
所述磁场耦合部件被配置为在所述辐射结构和所述波导耦合端口之间耦合磁场,
所述磁场耦合部件与所述电场耦合部件物理地分离,以及
其中,所述辐射结构被配置为使得由所述电场耦合部件辐射的信号耦合到所述磁场耦合部件,并且其中所述信号由所述磁场耦合部件再辐射。
2.根据权利要求1所述的装置,还包括设置在耦合到耦合部件的电路板上的馈源。
3.根据权利要求1所述的装置,其中,所述磁场耦合部件包括环。
4.根据权利要求1所述的装置,其中,所述电场耦合部件包括贴片。
5.根据权利要求1所述的装置,其中,所述波导耦合端口被配置为双向端口。
6.根据权利要求1所述的装置,还包括耦合到波导耦合端口的波导。
7.根据权利要求6所述的装置,其中,所述波导包括一个或多个辐射结构,所述一个或多个辐射结构被配置为从所述波导辐射电磁能和/或将电磁能耦合到所述波导中。
8.根据权利要求6所述的装置,其中,所述波导包括第一金属层和第二金属层,并且其中,所述电路板耦合到所述第一金属层。
9.根据权利要求8所述的装置,其中,所述波导耦合端口位于所述第一金属层中。
10.一种用于将来自电路板的电磁能耦合到波导中的方法,包括:
通过设置在所述电路板上的辐射结构来辐射电磁能作为辐射电磁能,其中,所述辐射结构包括电场耦合部件和磁场耦合部件;以及
经由波导耦合端口将至少一部分辐射电磁能耦合到所述波导中,其中,经由所述波导耦合端口将部分辐射电磁能耦合到所述波导中包括:
通过所述电场耦合部件将来自所述电路板的电场耦合到所述波导耦合端口中,其中所述电场耦合部件的每一侧包括一个或多个切口;以及
通过所述磁场耦合部件将来自所述电路板的磁场耦合到所述波导耦合端口中,其中,所述磁场耦合部件与所述电场耦合部件物理地分离,以及
其中,所述辐射结构被配置为使得由所述电场耦合部件辐射的信号耦合到所述磁场耦合部件,并且其中所述信号由所述磁场耦合部件再辐射。
11.根据权利要求10所述的方法,还包括通过电路板的馈源将电磁能传导到辐射结构,其中,所述电路板接近波导的波导耦合端口。
12.根据权利要求10所述的方法,其中,所述磁场耦合部件包括环。
13.根据权利要求10所述的方法,其中,所述电场耦合部件包括贴片。
14.根据权利要求10所述的方法,其中,所述波导包括第一金属层和第二金属层,并且其中,所述电路板耦合到所述第一金属层。
15.根据权利要求14所述的方法,其中,所述波导耦合端口位于所述第一金属层中。
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