[发明专利]具有过电流保护电路的负载控制装置有效

专利信息
申请号: 201880047104.4 申请日: 2018-06-08
公开(公告)号: CN110892790B 公开(公告)日: 2022-03-18
发明(设计)人: D·S·莫尔西;J·P·斯坦纳 申请(专利权)人: 路创技术有限责任公司
主分类号: H05B39/04 分类号: H05B39/04;H02M1/08;H03K17/16
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 张丹
地址: 美国宾*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 电流 保护 电路 负载 控制 装置
【权利要求书】:

1.一种用于控制从交流(AC)电源递送到电力负载的电力的负载控制装置,所述负载控制装置包括:

可控导电装置,所述可控导电装置适于联接在所述AC电源与所述电力负载之间以传导负载电流通过所述电力负载来控制递送到所述电力负载的所述电力;

控制电路,所述控制电路被配置成使用正向相位控制调光技术来控制所述可控导电装置,所述控制电路被配置成在所述AC电源的每个半周期开始时将所述可控导电装置控制为非导电的并且在每个半周期期间在触发时间时使所述可控导电装置为导电的;以及

过电流保护电路,所述过电流保护电路联接到所述可控导电装置并且被配置成在所述可控导电装置中出现过电流条件时使所述可控导电装置为非导电的;

其中所述过电流保护电路针对所述半周期的所述可控导电装置为非导电的部分停用并且针对所述半周期的使所述可控导电装置为导电的其余部分在所述触发时间之后启用。

2.如权利要求1所述的负载控制装置,其中所述可控导电装置包括按反串联连接进行电联接的第一场效应晶体管(FET)和第二场效应晶体管(FET)。

3.如权利要求2所述的负载控制装置,所述负载控制装置还包括:

第一栅极驱动电路,所述第一栅极驱动电路被联接以从所述控制电路接收第一驱动信号并且在所述第一FET的栅极处产生第一栅极电压;以及

第二栅极驱动电路,所述第二栅极驱动电路被联接以从所述控制电路接收第二驱动信号并且在所述第二FET的栅极处产生第二栅极电压。

4.如权利要求3所述的负载控制装置,所述负载控制装置还包括:

超控电路,所述超控电路被配置成产生启用控制信号,所述启用控制信号被所述过电流保护电路接收以用于启用和停用所述过电流保护电路。

5.如权利要求4所述的负载控制装置,其中所述超控电路被配置成从所述控制电路接收所述驱动信号并且在所述FET中的至少一者被控制为非导电的以使所述可控导电装置为非导电时停用所述过电流保护电路。

6.如权利要求5所述的负载控制装置,其中所述超控电路被配置成在每个半周期期间在从所述FET中的至少一者被控制为导电的以使所述可控导电装置为导电的所述触发时间开始的第一延迟时段之后启用所述过电流保护电路。

7.如权利要求6所述的负载控制装置,其中所述超控电路被配置成在每个半周期期间在从所述FET中的所述至少一者被控制为非导电的以使所述可控导电装置为非导电的时间开始的第二延迟时段之后停用所述过电流保护电路。

8.如权利要求3所述的负载控制装置,其中所述过电流保护电路联接到所述第一FET和所述第二FET的栅极以在出现所述过电流条件时将相应的栅极电压的量值控制为约零伏而使所述FET为非导电的。

9.如权利要求2所述的负载控制装置,其中所述过电流保护电路联接在所述可控导电装置的两端并且被配置成响应于所述FET中的每一者的相应导通电阻而检测所述过电流条件。

10.如权利要求1所述的负载控制装置,所述负载控制装置还包括:

超控电路,所述超控电路被配置成产生启用控制信号,所述启用控制信号被所述过电流保护电路接收以用于启用和停用所述过电流保护电路。

11.如权利要求10所述的负载控制装置,其中所述超控电路被配置成在每个半周期期间在从使所述可控导电装置为导电的所述触发时间开始的第一延迟时段之后启用所述过电流保护电路。

12.如权利要求11所述的负载控制装置,其中所述超控电路被配置成在每个半周期期间在从使所述可控导电装置为非导电的时间开始的第二延迟时段之后停用所述过电流保护电路。

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