[发明专利]高频开关

说明书

从输入输出端子(P251)向公共端子(P20)的功率的行进方向和从公共端子(P20)向外部连接端子(P10)的功率的行进方向成为相反方向的区间的长度比从输入输出端子(P211)向公共端子(P20)的功率的行进方向和从公共端子(P20)向外部连接端子(P10)的功率的行进方向成为相反方向的区间的长度长。FET(251)和FET(211)具有基于给定的输入功率的在FET(251)的漏极‑源极间传输的功率变得比在FET(211)的漏极‑源极间传输的功率大的构造。

技术领域

本发明涉及对公共端子选择性地连接多个输入输出端子的高频开关。

背景技术

以往，在高频模块中多利用高频开关。例如，高频开关连接在多个种类的通信信号所公共的天线与按多个种类的通信信号的每一个配置的收发电路之间。高频开关具备公共端子和多个输入输出端子。而且，公共端子与天线连接，多个输入输出端子各自与每个通信信号的收发电路连接。

作为这样的高频开关，多利用如专利文献1所示的使用了半导体的高频开关。专利文献1所示的高频开关具备多个FET(场效应晶体管)。多个FET各自分别连接在公共端子与多个输入输出端子之间。而且，该高频开关通过控制多个FET的断开以及导通，从而将多个输入输出端子中的任一个选择性地与公共端子连接。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-74027号公报

发明内容

发明要解决的课题

然而，在使用半导体形成高频开关的情况下，根据公共端子与多个输入输出端子的位置关系，有时会在将公共端子和多个输入输出端子分别进行连接的各传输路径之间产生插入损耗的偏差。即，有时会按每个通信信号在插入损耗产生差异。

因此，本发明的目的在于，降低在将公共端子和多个输入输出端子分别进行连接的各传输路径之间的插入损耗的偏差。

用于解决课题的技术方案

(1)本发明的高频开关具备：半导体元件，形成有至少包含第一FET以及第二FET的多个FET；多个外部连接端子；以及成型构件，对半导体元件进行密封。半导体元件具备：公共端子；多个输入输出端子，至少包含第一端子以及第二端子；第一FET，连接在公共端子与第一端子之间；以及第二FET，连接在公共端子与第二端子之间。多个外部连接端子包含：公共端子用外部连接端子，与公共端子连接；第一外部连接端子，与第一端子连接；以及第二外部连接端子，与第二端子连接。在从第一外部连接端子向公共端子的信号的行进方向和从公共端子向公共端子用外部连接端子的信号的行进方向成为相反方向的区间的长度比从第二外部连接端子向公共端子的信号的行进方向和从公共端子向公共端子用外部连接端子的信号的行进方向成为相反方向的区间的长度长的结构中，第一FET和第二FET具有基于给定的输入功率的在第一FET的漏极-源极间传输的信号的功率变得比在第二FET的漏极-源极间传输的信号的功率大的构造。

在该结构中，通过信号的行进方向变为相反的部分的长度不同，从而即使按每个外部连接端子而对通信信号的插入损耗存在差异，该差异也被FET对通信信号的电阻之差所抵消。

(2)此外，优选地，在本发明的高频开关中，第一FET的栅极宽度比第二FET的栅极宽度宽。

在该结构中，可通过容易的构造实现FET对通信信号的电阻之差。