[发明专利]溅射靶、氧化物半导体膜的成膜方法以及背板

权利要求书

1.一种溅射靶，其特征在于，

具备板状的氧化物烧结体，

所述氧化物烧结体具有沿第1方向排列的多个区域，

所述多个区域具有：

端部区域，是包括所述第1方向上的端部的区域；

内侧区域，是从所述端部朝向所述第1方向计数处于内侧第2个的区域，

在将所述端部区域的板厚设为t₁，所述端部区域的所述第1方向的宽度设为L₁，所述内侧区域的板厚设为t₂的情况下，t₁、L₁以及t₂满足以下的式(1)～(5)，

t₂t₁…(1)，

t₁(mm)L₁(mm)×0.1+4…(2)，

t₁(mm)9…(3)，

10L₁(mm)35…(4)，

0.6t₁/t₂0.8…(5)。

2.如权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，所述式(2)为下述式(2A)

t₁(mm)≥L₁(mm)×0.1+4.25…(2A)。

3.如权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，所述式(2)为下述式(2B)

t₁(mm)≥L₁(mm)×0.1+4.5…(2B)。

4.如权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，所述式(2)为下述式(2C)

t₁(mm)≥L₁(mm)×0.1+4.75…(2C)。

5.如权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，所述式(2)为下述式(2D)

t₁(mm)≥L₁(mm)×0.1+5…(2D)。

6.如权利要求1或2所述的溅射靶，其特征在于，

所述多个区域具备：

中间区域，是从所述端部朝向所述第1方向计数处于内侧第3个的区域，

在将所述中间区域的厚度设为t₃的情况下，t₁、t₂以及t₃满足以下的式(6)，

t₂t₁t₃…(6)。

7.如权利要求6所述的溅射靶，其特征在于，所述中间区域的宽度L₃为1700mm以上3500mm以下。

8.如权利要求6所述的溅射靶，其特征在于，所述中间区域的宽度L₃为1900mm以上3200mm以下。

9.如权利要求6所述的溅射靶，其特征在于，所述中间区域的宽度L₃为2000mm以上3000mm以下。

10.如权利要求6所述的溅射靶，其特征在于，所述中间区域的分割数为2～6分割。

11.如权利要求1或2所述的溅射靶，其特征在于，所述氧化物烧结体的所述多个区域互相分离地排列。

12.如权利要求1或2所述的溅射靶，其特征在于，所述氧化物烧结体的平面形状为长方形的板状，所述第1方向是长方形的长边方向。

13.如权利要求12所述的溅射靶，其特征在于，所述长方形的长边为2300mm以上3800mm以下。