[发明专利]基板的研磨方法及研磨用组合物套组有效
申请号: | 201880047433.9 | 申请日: | 2018-07-18 |
公开(公告)号: | CN110914958B | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
发明(设计)人: | 田畑诚 | 申请(专利权)人: | 福吉米株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B24B37/00;C09G1/02;C09K3/14 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 研磨 方法 组合 物套组 | ||
1.一种研磨方法,其为研磨基板的方法,
其包含预研磨所述基板的预研磨工序,
所述预研磨工序包含在同一平板上进行的多个预研磨阶段,
所述多个预研磨阶段依照顺序包含:第1预研磨阶段,其对所述基板供给第1研磨液来进行;第2预研磨阶段,其供给第2研磨液来进行;及第3预研磨阶段,其供给第3研磨液来进行;
所述第2研磨液由所述第1研磨液与所述第3研磨液的混合物所构成,
所述第2预研磨阶段通过对所述基板同时供给所述第1研磨液与所述第3研磨液来进行,
所述第1研磨液所含的水溶性高分子P1的含量COMP1、所述第2研磨液所含的水溶性高分子P2的含量COMP2、与所述第3研磨液所含的水溶性高分子P3的含量COMP3的关系满足COMP1COMP2COMP3,且满足以下条件中任一项:
(1)所述第3研磨液所含的磨粒A3的平均一次粒径DA3小于所述第1研磨液所含的磨粒A1的平均一次粒径DA1及所述第2研磨液所含的磨粒A2的平均一次粒径DA2,及
(2)所述第3研磨液不含磨粒A3。
2.根据权利要求1所述的研磨方法,其中,所述第1研磨液不含水溶性高分子P1。
3.根据权利要求1或2所述的研磨方法,其中,对硅基板进行所述预研磨工序。
4.一种研磨用组合物套组,其为用于权利要求1至3中任一项所述的研磨方法的研磨用组合物套组,其包含:
作为所述第1研磨液或其浓缩液的第1预研磨用组合物,及
作为所述第3研磨液或其浓缩液的第3预研磨用组合物;
所述第1预研磨用组合物与所述第3预研磨用组合物彼此分开保存。
5.根据权利要求4所述的研磨用组合物套组,其包含作为所述第2研磨液或其浓缩液的第2预研磨用组合物,
所述第2预研磨用组合物与所述第1预研磨用组合物及所述第3预研磨用组合物彼此分开保存。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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