[发明专利]消除晶片背面边缘和缺口处的沉积物的晶片边缘接触硬件和方法

说明书

提供了一种用于等离子体处理系统的基座组件。组件包括基座，所述基座具有中央顶表面，如台面，且中央顶表面从中央顶表面的中心延伸到中央顶表面的外径。环形表面围绕中央顶表面。环形顶表面设置在从中央顶表面向下的台阶处。多个晶片支撑件以在中央顶表面上方的支撑件高程距离从中央顶表面突出。多个晶片支撑件围绕中央顶表面的内半径均匀地布置。内半径位于中央顶表面的中心和小于中半径处之间，中半径介于基座的中心与中央顶表面的外径之间的约一半。提供了承载环，其被配置用于定位在基座的环形表面上。承载环具有承载环内径、承载环外径以及围绕承载环的顶部内部区域环形地布置的凸缘表面，凸缘表面凹入到承载环的顶部外部区域的下方。多个承载环支撑件被设置在基座的环形表面的外部。当承载环搁置在多个承载环支撑件上时，承载环支撑件限定承载环的在基座的中央顶表面上方的承载环高程尺寸，承载环高程尺寸被配置为高于基座的中央顶表面，高于支撑件高程距离。

技术领域

本发明的实施方案涉及半导体晶片处理设备工具，并且更具体地，用于室内的承载环。室被用于处理和传送晶片。

背景技术

在原子层沉积(ALD)中，通过连续的配料和活化步骤一层一层地沉积膜。ALD用来在高深宽比结构上产生保形膜。ALD的缺点之一是，在晶片的背面的膜沉积是难以避免的，因为膜可以穿过通往晶片背面的任何间隙来沉积。在间隔物应用中，背面沉积是不希望有的，因为在作为集成流的一部分的光刻步骤期间，背面沉积会导致对准/聚焦问题。

通过在配料步骤期间将前体物质传送到背面以及在活化步骤期间前体与传送的自由基物质的反应而产生背面上的膜。因此，需要控制或减少晶片背面的沉积。

正是在这样的背景下，本发明的实施方案出现了。

发明内容

本公开的实施方案提供了用以在ALD处理期间减少背面沉积的系统、装置和方法。在ALD处理室中，晶片被支撑在基座组件上，该基座组件装配有相对于晶片支撑件定位在一定高度处以减少背面沉积的承载环。在一些实施方案中，考虑到热膨胀，对每个基座组件进行校准以确保在处理期间在承载环上保持晶片搭接。现在将描述几个实施方案。

在一实施方案中，提供了一种用于等离子体处理系统的基座组件。所述组件包括：基座，其包括中央顶表面，例如台面，并且所述中央顶表面从所述中央顶表面的中心延伸到所述中央顶表面的外径。环形表面围绕所述中央顶表面。所述环形顶表面设置在从所述中央顶表面向下的台阶处。多个晶片支撑件以在所述中央顶表面上方的支撑件高程距离从所述中央顶表面突出。所述多个晶片支撑件围绕所述中央顶表面的内半径均匀地布置。所述内半径位于所述中央顶表面的所述中心和小于中半径处之间，所述中半径限定在所述基座的所述中心与所述中央顶表面的所述外径之间的大致一半。提供了承载环，其被配置用于定位在所述基座的所述环形表面上。所述承载环具有承载环内径、承载环外径以及围绕所述承载环的顶部内部区域环形地布置的凸缘表面，所述凸缘表面凹入到所述承载环的顶部外部区域的下方。多个承载环支撑件被设置在所述基座的所述环形表面的外部。当所述承载环搁置在所述多个承载环支撑件上时，所述承载环支撑件限定所述承载环的在所述基座的所述中央顶表面上方的承载环高程尺寸，所述承载环高程尺寸被配置为高于所述基座的所述中央顶表面，高于所述支撑件高程距离。

在一实现方式中，所述多个晶片支撑件当晶片被放置在所述多个晶片支撑件上方时，提供与晶片的运动配合。

在一实现方式中，所述承载环的所述凸缘表面具有过渡到所述承载环的所述顶部外部区域的台阶，并且所述凸缘表面在所述多个晶片支撑件上方升高承载环-支撑件尺寸。

在一实现方式中，所述内半径为约2.5英寸，并且所述中央顶表面的所述外径为约11.5英寸。

在一实现方式中，在所述凸缘表面上方限定搭接部分表面区域，并且所述搭接部分表面区域在晶片被设置在所述基座的所述中央顶表面上方时限定晶片下表面的接触表面。