[发明专利]具有LOCOS沟槽的半导体器件

权利要求书

1.一种栅极控制的半导体器件，包括：

第一导电类型的集电极区；

设置于所述集电极区之上的第二导电类型的漂移区；

设置于所述漂移区之上的第一导电类型的主体区；

第二导电类型的至少一个第一接触区，所述至少一个第一接触区设置于所述主体区上方，并且与所述主体区相比，具有更高的掺杂浓度；

第一导电类型的至少一个第二接触区，所述至少一个第二接触区设置成与所述至少一个第一接触区横向相邻，所述至少一个第二接触区比所述主体区具有更高的掺杂浓度；

从表面延伸到所述漂移区中的至少一个有源沟槽，其中，所述至少一个第一接触区邻接所述至少一个有源沟槽，使得在使用中，沿着所述至少一个有源沟槽并在所述主体区内形成沟道区，并且

其中，所述至少一个有源沟槽包括：

两个垂直侧壁以及所述两个垂直侧壁之间的底表面；以及

沿着所述垂直侧壁和所述底表面的绝缘层，其中，沿着至少一个垂直侧壁的所述绝缘层包括不同的厚度；从所述表面延伸到所述漂移区中的至少一个辅助沟槽，并且其中，所述至少一个辅助沟槽包括：

两个垂直侧壁以及所述两个垂直侧壁之间的底表面；以及

沿着所述垂直侧壁和所述底表面的绝缘层，其中，沿着至少一个垂直侧壁的所述绝缘层包括恒定的厚度。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述器件被配置为使得所述至少一个辅助沟槽被偏置在地电位。

3.根据权利要求1或2中的任一项所述的器件，其中，与沿着所述至少一个有源沟槽的所述沟道区的所述绝缘层的厚度相比，沿着所述辅助沟槽的所述至少一个垂直侧壁的所述绝缘层包括更大的厚度。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的器件，其中，在所述至少一个有源沟槽中，沿着两个垂直侧壁的所述绝缘层包括不同的厚度。

5.根据权利要求1至3中的任一项所述的器件，其中，在所述至少一个有源沟槽中，沿着一个垂直侧壁的所述绝缘层包括不同的厚度，并且沿着另一个垂直侧壁的所述绝缘层包括恒定的厚度。

6.根据权利要求1至3中的任一项所述的器件，其中，所述至少一个有源沟槽的每个垂直侧壁包括上部和下部。

7.根据权利要求6所述的器件，其中，沿着所述下部的所述绝缘层的厚度大于沿着每个垂直侧壁的所述上部的所述绝缘层的厚度。

8.根据权利要求6所述的器件，其中，沿着所述下部的所述绝缘层的厚度大于沿着一个垂直侧壁的所述上部的所述绝缘层的厚度，并且其中，对于另一垂直侧壁，沿着所述下部和所述上部的所述绝缘层的厚度相同。

9.根据权利要求6至8中的任一项所述的器件，其中，沿着所述至少一个有源沟槽的所述底表面的所述绝缘层的厚度与沿着两个垂直侧壁的所述下部的所述绝缘层的厚度相同。

10.根据权利要求6至9中的任一项所述的器件，其中，所述沟道区沿着沿着所述上部的所述绝缘层形成。

11.根据权利要求6至10中的任一项所述的器件，其中，所述下部的垂直长度大于所述上部的垂直长度。

12.根据权利要求11所述的器件，其中，所述下部的垂直长度与所述上部的垂直长度之比等于或大于1。

13.根据前述权利要求中的任一项所述的器件，其中，在所述至少一个辅助沟槽中，沿着两个垂直侧壁的所述绝缘层包括恒定的厚度。

14.根据权利要求1至12中的任一项所述的器件，其中，在所述至少一个辅助沟槽中，沿着一个垂直侧壁的所述绝缘层包括不同的厚度，并且沿着另一个垂直侧壁的所述绝缘层包括所述恒定的厚度。