[发明专利]抑制钴、氧化铝、层间绝缘膜、氮化硅的损伤的组成液及使用其的清洗方法

权利要求书

1.一种组成液，其含有四氟硼酸(A)0.01～30质量％、或(硼酸/氟化氢)＝(0.0001～5.0质量％/0.005～5.0质量％)的范围的硼酸(B1)及氟化氢(B2)，所述组成液的pH处于0.0～4.0的范围。

2.根据权利要求1所述的组成液，其中，含有四氟硼酸(A)及氟化氢(B2)，(四氟硼酸/氟化氢)＝(0.01～30质量％/0.005～5.0质量％)的范围。

3.根据权利要求1所述的组成液，其中，含有四氟硼酸(A)、硼酸(B1)及氟化氢(B2)，(四氟硼酸/硼酸/氟化氢)＝(0.01～30质量％/0.0001～5.0质量％/0.005～5.0质量％)的范围。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的组成液，其中，所述四氟硼酸(A)的浓度处于0.3～15质量％的范围。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的组成液，其中，所述硼酸(B1)的浓度处于0.0003～3.5质量％的范围。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的组成液，其中，所述氟化氢(B2)的浓度处于0.02～2.0质量％的范围。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的组成液，其中，含有苯并三唑化合物(C)0.01～10质量％。

8.根据权利要求7所述的组成液，其中，所述苯并三唑化合物(C)含有选自由苯并三唑、5-甲基-1H-苯并三唑、及2,2’-[[(甲基-1H-苯并三唑-1-基)甲基]亚氨基]双乙醇组成的组中的1者以上。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的组成液，其中，包含具有吡咯烷酮结构的化合物(D)0.0001～5质量％。

10.根据权利要求9所述的组成液，其中，所述具有吡咯烷酮结构的化合物(D)的重均分子量处于1000～5000000的范围，并且吡咯烷酮结构单元的比率为10％以上。

11.一种具有低介电常数层间绝缘膜的半导体元件的清洗方法，其使用了权利要求1～10中任一项所述的组成液。