[发明专利]散热性芯片接合膜及切割-芯片接合膜

说明书

本发明涉及散热性芯片接合膜，其是热导率为2W/(m·K)以上的散热性芯片接合膜，其含有莫氏硬度不同的2种以上的热导性填充物，切割工序中的刀片摩耗量为50μm/m以下；或者其含有莫氏硬度不同的2种以上的热导性填充物，热导性填充物的含量为20～85质量％。

技术领域

本发明涉及散热性芯片接合膜及切割-芯片接合膜。

背景技术

形成有电路图案的半导体晶片在根据需要利用背面研磨对厚度进行调整之后被切割成芯片状的半导体元件(切割工序)。接着，使用粘接剂将半导体元件固定(芯片接合工序)在引线框等被固定体上之后，移送至接合工序。例如提出了在载置有半导体元件的切割垫及引线部的下部通过粘接剂配置金属基底来提高半导体装置用封装体的散热效果的方法(例如参照专利文献1)。另一方面，作为具有热导性或散热性的粘接膜，例如已知含有高热导粒子的粘接膜或含有热导性填充物的散热性芯片接合膜(例如参照专利文献2及3)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平5-198701号公报

专利文献2：日本特开2009-235402号公报

专利文献3：日本特开2014-68020号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明的目的在于提供能够效率良好地制造半导体元件的散热性芯片接合膜及具备其的切割-芯片接合膜。

用于解决技术问题的手段

本发明涉及一种散热性芯片接合膜，其是热导率为2W/(m·K)以上的散热性芯片接合膜，其含有莫氏硬度不同的2种以上的热导性填充物，切割工序中的刀片摩耗量为50μm/m以下。

本发明还涉及一种散热性芯片接合膜，其含有莫氏硬度不同的2种以上的热导性填充物，热导性填充物的含量为20～85质量％。

上述散热性芯片接合膜中，作为热导性填充物，可以含有选自氧化铝填充物、氮化硼填充物、氮化铝填充物及氧化镁填充物中的至少2种。

上述氧化铝填充物可以含有纯度为99.0质量％以上的氧化铝填充物。

上述氮化硼填充物可以含有氮的纯度为95.0质量％以上的六方晶氮化硼填充物。

上述氮化铝填充物的密度可以为3～4g/cm³。

上述氧化镁填充物可以含有纯度为95.0质量％以上的氧化镁填充物。

上述散热性芯片接合膜可以进一步含有：丙烯酸树脂及苯氧树脂中的任一种高分子量成分；环氧树脂；和固化剂。

上述散热性芯片接合膜中，热导性填充物的合计质量可以相对于上述高分子量成分、环氧树脂、固化剂及热导性填充物的合计量100质量份为20质量份以上。

上述散热性芯片接合膜中，作为所述热导性填充物，可以含有氮化铝填充物和氮化硼填充物，还可以含有氮化硼填充物和氮化铝填充物，还可以含有氮化硼填充物和氧化镁填充物。

本发明涉及一种切割-芯片接合膜，其具备切割膜和层叠在该切割膜上的芯片接合膜，芯片接合膜为上述散热性芯片接合膜。

发明效果

根据本发明，可以提供能够效率良好地制造半导体元件的散热性芯片接合膜及具备其的切割-芯片接合膜。

附图说明

图1为示意地表示本发明一个实施方式的切割-芯片接合膜的截面图。

具体实施方式