[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具有形成有结型FET(10)的第1半导体芯片(100)和形成有MOSFET(20)的第2半导体芯片(200)，其特征在于，

具备：

上述第1半导体芯片，形成有上述结型FET；

上述第2半导体芯片，形成有上述MOSFET；以及

结型FET用调整电阻(42)，配置在上述结型FET的栅极电极(13)与上述MOSFET的源极电极(21)之间；

上述结型FET的源极电极(11)和上述MOSFET的漏极电极(22)电连接从而上述结型FET和上述MOSFET被级联连接；

上述结型FET用调整电阻具有接通动作用的第1电阻电路(421)及断开动作用的第2电阻电路(422)；

半导体装置还具有：

对置配置的下侧热沉(601)及上侧热沉(604)；以及

模塑树脂(400)，将上述第1半导体芯片及上述第2半导体芯片封固；

上述第1半导体芯片及上述第2半导体芯片被层叠配置在上述下侧热沉与上述上侧热沉之间；

上述模塑树脂，在上述下侧热沉及上述上侧热沉中的与上述第1半导体芯片及上述第2半导体芯片侧相反侧的部分露出的状态下，将上述第1半导体芯片及上述第2半导体芯片封固；

上述第1半导体芯片，与上述第2半导体芯片相比，平面形状更小；

在上述第1半导体芯片与上述第2半导体芯片之间，在上述第1半导体芯片侧，配置有与上述第1半导体芯片连接并且与上述第1半导体芯片的平面形状对应的形状的间隔件(608)，在上述间隔件与上述第2半导体芯片之间，配置有与上述第2半导体芯片连接并且与上述第2半导体芯片的平面形状对应的形状的金属块(603)。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

具备将上述第1半导体芯片及上述第2半导体芯片封固的模塑树脂(400)；

上述结型FET用调整电阻以从上述模塑树脂露出的状态配置。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第1电阻电路具有第1二极管(421a)和第1电阻(421b)，上述第1二极管和上述第1电阻被串联地连接；

上述第2电阻电路具有第2二极管(422a)和第2电阻(422b)，上述第2二极管和上述第2电阻被串联地连接；

上述第1电阻电路及上述第2电阻电路以使上述第1二极管的阴极及上述第2二极管的阳极与上述结型FET的栅极电极相连接的方式并联地连接。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

具有配置在上述MOSFET的栅极电极(23)与栅极驱动电路(51)之间的MOSFET用调整电阻(41)；

上述MOSFET用调整电阻具有接通动作用的第3电阻电路(411)及断开动作用的第4电阻电路(412)。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

上述第3电阻电路具有第3二极管(411a)和第3电阻(411b)，上述第3二极管和上述第3电阻被串联地连接；

上述第4电阻电路具有第4二极管(412a)和第4电阻(412b)，上述第4二极管和上述第4电阻被串联地连接；

上述第3电阻电路及上述第4电阻电路以使上述第3二极管的阴极及上述第4二极管的阳极与上述MOSFET的栅极电极相连接的方式被并联地连接。