[发明专利]电容器

权利要求书

1.一种电容器，具备：

基体材料，具有相互对置的第一主面和第二主面，并在上述第一主面侧形成有沟槽部；

介电膜，在上述基体材料的上述第一主面侧被设置于包含上述沟槽部的内侧的区域；

导电体膜，具有第一导电体层和第二导电体层，其中，上述第一导电体层设置于包含上述沟槽部的内侧的区域且在上述介电膜上，上述第二导电体层设置于上述第一导电体层上；以及

应力缓和部，与上述第一导电体层的端部的至少一部分接触来设置，

在上述基体材料的上述第一主面中的上述沟槽部的外侧，上述应力缓和部的厚度比上述导电体膜的厚度小。

2.一种电容器，具备：

基体材料，具有相互对置的第一主面和第二主面，并在上述第一主面侧形成有沟槽部；

介电膜，在上述基体材料的上述第一主面侧被设置于包含上述沟槽部的内侧的区域；

导电体膜，具有第一导电体层和第二导电体层，其中，上述第一导电体层设置于包含上述沟槽部的内侧的区域且在上述介电膜上，上述第二导电体层设置于上述第一导电体层上；以及

应力缓和部，与上述第一导电体层的端部的至少一部分接触来设置，

上述应力缓和部的残余应力的朝向与上述第二导电体层的残余应力的朝向相反。

3.根据权利要求1或2所述的电容器，其中

上述应力缓和部设置于上述介电膜中的与上述第一导电体层对置的上表面。

4.根据权利要求3所述的电容器，其中，

在俯视上述基体材料的上述第一主面时，上述应力缓和部设置于上述第一导电体层的内侧的区域。

5.根据权利要求4所述的电容器，其中，

上述应力缓和部设置于包含上述沟槽部的内侧的区域。

6.根据权利要求3所述的电容器，其中，

在俯视上述基体材料的上述第一主面时，上述应力缓和部设置于上述第一导电体层的外侧的区域。

7.根据权利要求1或2所述的电容器，其中，

上述应力缓和部形成于上述介电膜的内部。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的电容器，其中，

在俯视上述基体材料的上述第一主面时，上述第一导电体层的端面与上述第二导电体层的端面一致。

9.根据权利要求1～7中任一项所述的电容器，其中，

在俯视上述基体材料的上述第一主面时，上述第一导电体层的端面位于上述第二导电体层的外侧。

10.根据权利要求9所述的电容器，其中，

上述应力缓和部与上述第一导电体层的上表面以及端面中的至少一方接触来设置。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的电容器，其中，

上述应力缓和部与上述第二导电体层非接触。

12.根据权利要求1～10中任一项所述的电容器，其中，

上述应力缓和部设置在上述第一导电体层与上述第二导电体层之间。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的电容器，其中，

上述第一导电体层由作为杂质包含磷、硼以及砷的至少任意一个的硅系半导体构成。

14.根据权利要求13所述的电容器，其中，

上述应力缓和部由作为杂质包含磷、硼以及砷的至少任意一个的氧化硅构成。

15.根据权利要求1～12中任一项所述的电容器，其中，

上述应力缓和部由作为杂质包含氢的氮化硅构成。

16.根据权利要求1～15中任一项所述的电容器，其中，

还具备保护膜，该保护膜避开上述第二导电体层的至少一部分来设置。