[发明专利]混合忆阻器/场效应晶体管存储器单元及其信息编码方法

权利要求书

1.包括混合存储器单元的电阻式随机存取存储器(ReRAM)，其中，所述混合存储器单元包括：

左电阻开关器件，包括第一端子和第二端子；

右电阻开关器件，包括第一端子和第二端子，其中，所述右电阻开关器件的第一端子在内部节点处连接到所述左电阻开关器件的第一端子，所述左电阻开关器件的所述第二端子直接连接到字线，并且所述右电阻开关器件的所述第二端子直接连接到位线；以及

晶体管，包括源极端子、漏极端子和栅极端子，其中，所述晶体管的漏极端子在所述内部节点处连接到所述左电阻开关器件和所述右电阻开关器件。

2.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其中，所述左电阻开关器件和所述右电阻开关器件是忆阻器。

3.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其中，所述左电阻开关器件和所述右电阻开关器件处于相反的电阻状态，其中，电阻状态包括高电阻状态和低电阻状态。

4.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其中，所述晶体管是最小尺寸的晶体管。

5.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其中，所述混合存储器单元的逻辑电平基于所述右电阻开关器件的电阻和所述左电阻开关器件的电阻的比率。

6.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，还包括：

外围电路，联接到所述混合存储器单元，所述外围电路配置成对所述混合存储器单元的逻辑电平编程和/或确定所述混合存储器单元的逻辑电平。

7.根据权利要求6所述的电阻式随机存取存储器，其中，所述外围电路配置成通过以下方式来确定所述逻辑电平：

在所述左电阻开关器件的第二端子与所述右电阻开关器件的第二端子之间施加读取电压；

在所述晶体管的栅极端子处施加偏压；以及

经由所述晶体管的源极来感测所述内部节点处的电压。

8.根据权利要求6所述的电阻式随机存取存储器，其中，所述外围电路配置成通过以下方式来对所述逻辑电平编程：

在所述左电阻开关器件的第二端子与所述右电阻开关器件的第二端子之间施加写入电压。

9. 根据权利要求6所述的电阻式随机存取存储器，其中，所述外围电路配置成通过以下方式来对所述逻辑电平编程：

在所述左电阻开关器件的第二端子与所述右电阻开关器件的第二端子之间施加写入电压；以及

在所述晶体管的栅极处施加偏压。

10.根据权利要求6所述的电阻式随机存取存储器，其中，所述外围电路包括：

字线驱动器，通过所述字线联接到所述左电阻开关器件的第二端子；

使能线驱动器，联接到所述晶体管的栅极端子；

位线驱动器，通过所述位线联接到所述右电阻开关器件的第二端子；以及

感测线驱动器，联接到所述晶体管的源极端子。

11.根据权利要求10所述的电阻式随机存取存储器，其中：

所述字线驱动器配置成向所述混合存储器单元提供第一偏压；

所述使能线驱动器配置成选择所述混合存储器单元以对所述逻辑电平编程和/或确定所述逻辑电平；以及

所述位线驱动器配置成向所述混合存储器单元提供第二偏压。

12.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其中，所述晶体管是p型晶体管或n型晶体管。