[发明专利]用于改进的声波滤波器的取代氮化铝有效
| 申请号： | 201880049704.4 | 申请日： | 2018-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN110998886B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | M·D·希尔;P·L·甘默尔 | 申请（专利权）人： | 天工方案公司 |
| 主分类号： | H10N30/853 | 分类号： | H10N30/853;H10N30/20;H03H9/17 |
| 代理公司： | 北京市正见永申律师事务所 11497 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 改进 声波 滤波器 取代 氮化 | ||
【权利要求书】：
1.一种压电材料，包括:
具有选自下组中的分子式的掺杂有阳离子的AlN：
Al1-xGe(3/4)x□(1/4)xN或者Al1-(5/3)xTa5+x□(2/3)xN中的一种，□表示所述压电材料的晶体结构中的在Al位点的空位，0x0.25；
Al1-(5/3)x-3yMg2yTax+y□(2/3)xN，□表示所述压电材料的晶体结构中的在Al位点的空位，1(5/3)x+3y，0x0.3，0y0.25；或
Al1-2xBxCrxN，0x0.15；
所述阳离子至少部分取代所述压电材料的晶体结构中的Al。
2.如权利要求1所述的压电材料，其具有纤锌矿晶体结构。
3.一种声波谐振器，其包括如权利要求1所述的压电材料。
4.如权利要求3所述的声波谐振器，其被配置为固态装配型谐振器。
5.如权利要求3所述的声波谐振器，其被配置为薄膜体声波谐振器。
6.一种滤波器，包括如权利要求5所述的声波谐振器。
7.如权利要求6所述的滤波器，其在射频带中具有通带。
8.一种电子器件模块，其包括如权利要求6所述的滤波器。
9.一种电子器件，其包括如权利要求8所述的电子器件模块。
10.如权利要求9所述的电子器件，其中，所述电子器件模块是射频电子器件模块。
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