[发明专利]半导体光学集成元件

说明书

使单片集成有DFB激光器、EA调制部以及SOA的半导体光学集成元件的输出光强度保持固定。半导体光学集成元件在同一基板上具有：DFB激光器；EA调制器，连接于DFB激光器；SOA，与DFB激光器和EA调制器单片集成于同一基板上，连接于EA调制器的出射端；以及受光器，配置于SOA的出射端侧，具有与SOA相同的组成，对受光器施加正向偏置电压或正向偏置电流，受光器构成为对向DFB激光器和SOA的驱动电流进行反馈控制，监控与向该受光器的输入光强度相应的检测值的变化。

技术领域

本发明涉及分布反馈型(DFB：Distributed FeedBack)的半导体光学集成元件，特别是涉及监控光强度的半导体光学集成元件。

背景技术

分布反馈型(DFB：Distributed FeedBack)激光器的单一波长性优良，已知有将电场吸收型(EA：Electroabsorption)调制器单片地一体化在单个的基板上而构成的形态。该形态的半导体光学集成元件(EA-DFB激光器)能够作为传输距离40km以上的长距离传输用光发送器使用。EA-DFB激光器的信号光波长主要使用光纤的传播损失小的1.55μm带，或者使用不易受到产生于光纤的波长分散的影响的1.3μm带。

一般来说，理想的是光纤传输用的EA-DFB激光器将光信号的光强度保持固定(恒定)。因此，监控EA-DFB激光器的输出光的光强度，以使被监控的光强度固定的方式对注入DFB激光器的电流进行控制。将其称为APC(自动功率控制)。

以往，公开了一种以具备DFB激光器和EA调制器的多重光发送器模块为前提，作为为了APC而监控DFB激光器的光强度的构成，在与DFB激光器的出射端对置的面具备受光器的元件(例如，参照专利文献1的图6)。

以往，构成为设于与DFB激光器的出射端对置的面的受光器监控光强度。但是，有时，在光发送器中，除了EA-DFB激光器(DFB激光器与EA调制器)以外，还将SOA(Semiconductor Optical Amplifier：半导体光放大器)单片地集成于同一基板，由此实现长距离传输(例如，参照专利文献2)。在这样的构成中，如以下说明的那样，即使在以以往的构成为前提的受光器的位置，即，在与DFB激光器的出射端对置的面监控光强度，也不能进行使光强度保持固定的反馈控制。

以以往的构成为前提的受光器设于与DFB激光器的出射端对置的面，仅监控DFB激光器的光强度。因此，即使由于SOA的劣化使SOA的放大率降低，也不能够检测出光强度的变化。即使SOA的放大率下降也不能检测出，因此没有实施反馈控制，结果是DFB激光器的光强度降低。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016－180779号公报

专利文献2：日本专利第5823920号公报

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体光学集成元件，其在单片集成有DFB激光器、EA调制器以及SOA的光发送器中，能够进行使DFB激光器的光强度保持固定的反馈控制。

为达成上述的目的，本发明具备：DFB激光器；EA调制器，连接于所述DFB激光器；SOA，与所述DFB激光器和所述EA调制器单片集成于同一基板上，连接于所述EA调制器的出射端；以及受光器，配置于所述SOA的出射端侧，具有与所述SOA相同的组成，向所述受光器施加正向偏置电压或正向偏置电流，所述受光器构成为对向所述DFB激光器和所述SOA的驱动电流进行反馈控制，监控与向该受光器的输入光强度相应的检测值的变化。

在此，也可以是，所述DFB激光器和所述SOA分别连接于同一控制端子，所述同一的控制端子构成为将所述驱动电流分别注入所述DFB激光器和所述SOA。

附图说明

图1是用于说明本发明的实施方式的半导体光学集成元件的控制的概略的图。