[发明专利]溅射靶、氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管以及电子设备

权利要求书

1.一种溅射靶，其特征在于，具备氧化物烧结体,该氧化物烧结体含有铟元素In、锡元素Sn、锌元素Zn、X元素以及氧，各元素的原子比满足下述式(1)，该氧化物烧结体还包含以Zn₂SnO₄表示的尖晶石结构化合物,

0.001≦X/(In+Sn+Zn+X)≦0.05…(1)

式(1)中，In、Zn、Sn以及X分别表示氧化物烧结体中的铟元素、锌元素、锡元素以及X元素的含量,X元素选自Ge、Si、Y、Zr、Al、Mg、Yb以及Ga中的至少一种以上。

2.如权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，所述氧化物烧结体的式(1)所示的原子比为0.003以上、0.03以下。

3.如权利要求1或2所述的溅射靶，其特征在于，所述氧化物烧结体进一步满足下述式(2)。

0.40≦Zn/(In+Sn+Zn)≦0.80…(2)

4.如权利要求1～3的任一项所述的溅射靶，其特征在于，所述氧化物烧结体进一步满足下述式(3)：

0.15≦Sn/(Sn+Zn)≦0.40…(3)。

5.如权利要求1～4的任一项所述的溅射靶，其特征在于，所述氧化物烧结体进一步满足下述式(4)：

0.10≦In/(In+Sn+Zn)≦0.35…(4)。

6.如权利要求1～5的任一项所述的溅射靶，其特征在于，所述氧化物烧结体包含以In₂O₃(ZnO)_m表示的六方晶层状化合物，其中m为2～7。

7.如权利要求1～6的任一项所述的溅射靶，其特征在于，所述氧化物烧结体的平均抗折强度为150Mpa以上。

8.如权利要求1～7的任一项所述的溅射靶，其特征在于，所述氧化物烧结体的平均抗折强度的威布尔系数为7以上。

9.如权利要求1～8的任一项所述的溅射靶，其特征在于，所述氧化物烧结体的平均晶体粒径为10μm以下,六方晶层状化合物的平均晶体粒径与尖晶石化合物的平均晶体粒径之差为1μm以下。

10.如权利要求1～8的任一项所述的溅射靶，其特征在于，所述氧化物烧结体的平均晶体粒径为10μm以下,方铁锰矿结构化合物的平均晶体粒径与尖晶石化合物的平均晶体粒径之差为1μm以下。

11.一种氧化物半导体薄膜，其特征在于，含有铟元素In、锡元素Sn、锌元素Zn、X元素以及氧，各元素的原子比满足下述式(1A)，

0.001≦X/(In+Sn+Zn+X)≦0.05…(1A)

式(1A)中，In、Sn、Zn以及X分别表示氧化物半导体薄膜中的铟元素、锌元素、锡元素以及X元素的含量，X元素选自Ge、Si、Y、Zr、Al、Mg、Yb以及Ga中的至少一种以上。

12.一种薄膜晶体管，其特征在于，使用了权利要求11所述的氧化物半导体薄膜。

13.一种电子设备，其特征在于，使用了权利要求12所述的薄膜晶体管。