[发明专利]用于生产密封光半导体装置的方法

权利要求书

1.一种用于生产密封光半导体装置的方法，所述方法包括：在减压室中将密封膜放置在其上安装光半导体元件的光半导体元件安装基板上，并降低所述减压室内的压力的步骤；

加热所述密封膜以使所述密封膜的至少周边部分热熔合到所述元件安装基板的表面的步骤；以及

释放所述减压室内的减压以用所述密封膜密封所述光半导体元件安装基板的步骤，

其中当释放所述减压室内的减压时所述光半导体元件安装基板的温度T₂为所述密封膜展现了0.02至0.15 MPa的拉伸强度以及150%至450%的断裂伸长率的温度。

2.如权利要求1所述的用于生产密封光半导体装置的方法，其中所述密封膜由热固性有机硅树脂制成。

3.如权利要求1或2所述的用于生产密封光半导体装置的方法，其中所述密封膜含有不超过90质量%的磷光体。

4.如权利要求1所述的用于生产密封光半导体装置的方法，其中所述密封膜具有不小于10 µm且不超过300 µm的厚度。

5.如权利要求1所述的用于生产密封光半导体装置的方法，其中所述温度T₂不小于70ºC且不超过180ºC。

6.如权利要求1所述的用于生产密封光半导体装置的方法，其中所述光半导体元件安装基板上的光半导体元件之间的最小距离大于所述密封膜的厚度。

7.如权利要求1所述的用于生产密封光半导体装置的方法，其中所述光半导体元件安装基板上的所述光半导体装置的高度T与所述光半导体装置之间的距离L之间的纵横比（T/L）最大不超过3。