[发明专利]用于制造光电子部件的方法在审

专利信息
申请号: 201880050436.8 申请日: 2018-07-31
公开(公告)号: CN111542932A 公开(公告)日: 2020-08-14
发明(设计)人: D.莱森;C.韦斯曼;H.布伦纳;L.派克;E.迪努;A.林科夫;J.埃伯哈德;C.凯特;M.平德尔;T.雷斯温克尔;D.里希特 申请(专利权)人: 欧司朗OLED股份有限公司
主分类号: H01L33/54 分类号: H01L33/54;H01L33/50;H01L33/56;H01L33/58
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 张涛;陈岚
地址: 德国雷*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 制造 光电子 部件 方法
【说明书】:

本发明涉及一种用于制造光电子部件的方法,包括以下方法步骤:提供具有顶侧的支撑件。将光电子半导体芯片布置在所述支撑件的所述顶侧之上。此外,将灌封材料布置在所述支撑件的所述顶侧之上,将所述光电子半导体芯片嵌入到所述灌封材料中。所述灌封材料形成灌封表面。在所述灌封表面处去除一部分灌封材料。在这种情况下,在所述灌封表面处生成形貌。

技术领域

本发明涉及一种根据独立权利要求的用于制造光电子部件的方法。

专利申请要求德国专利申请10 2017 117 438.9的优先权,其公开内容通过引用结合于此。

背景技术

从现有技术中已知具有嵌入在浇铸材料中的光电子半导体芯片的光电子部件。从现有技术中还已知其浇铸材料具有粗糙的铸件表面的光电子部件。

发明内容

本发明的目的是提供一种用于制造光电子部件的方法。

该目的通过具有独立权利要求的特征的用于制造光电子部件的方法来实现。在从属权利要求中给出了不同的发展。

用于制造光电子部件的方法具有以下方法步骤。准备具有上侧的载体。将光电子半导体芯片布置在所述载体的上侧之上。还将浇铸材料布置在所述载体的上侧上方,其中将所述光电子半导体芯片嵌入在所述浇铸材料中。所述浇铸材料形成铸件表面。在所述铸件表面处去除一部分浇铸材料。因此在所述铸件表面处生成形貌。通过去除所述铸件表面处的一部分浇铸材料而产生的形貌提供如下优点:可以在所述铸件表面处分散地散射从外部到达的电磁辐射。从而可以抑制所述电磁辐射在所述铸件表面处的镜面反射。以这种方式可以减少或消除所述铸件表面的光泽。例如,这对于可以包括多个光电子部件并且在明亮环境中设置的显示屏而言是非常重要的。抑制在所述铸件表面处的镜面反射例如可以使得元件(尤其是所述元件的显示为暗的或黑的)在没有光泽效果的情况下被显示。所述用于制造光电子部件的方法提供以下优点:可以以简单的方式——即通过去除所述铸件表面处的一部分铸件材料来创建所述铸件表面的这种形貌。

在一种形式的实施例中,在去除所述铸件表面处的一部分浇铸材料之前,硬化所述浇铸材料。有利地,所述浇铸材料的硬化使得可以去除所述铸件表面处的一部分浇铸材料,其中在所述铸件表面处生成的形貌得以保持。

在一种形式的实施例中,去除所述铸件表面处的一部分铸件材料是通过湿化学蚀刻来进行的。有利地,所述湿化学蚀刻非常容易执行。

在一种形式的实施例中,将蚀刻剂喷射到所述铸件表面上。该方法的这种变型还可以被有利地用于制造多个光电子部件,这是因为所述蚀刻剂被喷射在大面积上。

在一种形式的实施例中,将所述铸件表面浸入蚀刻剂中。有利地,所述蚀刻剂未以这种方式被雾化。在蚀刻剂对健康有害的情况下,这是特别有利的。

在一种形式的实施例中,去除所述铸件表面处的一部分浇铸材料是通过干蚀刻来进行的。在不使用对健康有潜在危害的蚀刻剂的情况下,有利地进行通过干蚀刻去除所述铸件表面处的一部分浇铸材料。

在一种形式的实施例中,去除所述铸件表面处的一部分浇铸材料是通过激光干涉结构化来进行的。在不使用对健康有潜在危害的蚀刻剂的情况下,有利地进行通过激光干涉结构化去除所述铸件表面处的一部分浇铸材料。发现另一个优点在于,由于所述形貌的精确形成受到干涉图案的影响,因此可以监视所述铸件表面处生成的所述形貌。

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