[发明专利]工程化表面电荷用于产生双特异性抗体的方法

权利要求书

1.一种改变抗体等电点的方法，所述方法包括：

提供抗体，所述抗体包含：

含有重链可变区的第一多肽，以及

含有重链可变区的第二多肽；以及

根据Kabat编号系统，在所述抗体的所述第一多肽和所述第二多肽的至少一者中，取代所述重链可变区(V_H)第7、9、11、14、41、70、74、82a、84和113位的一个或多个氨基酸残基，其中所述取代升高或降低所述抗体的等电点。

2.根据权利要求1所述的方法，其中当所述V_H第7、9、11、14、41、74、84和113位(Kabat编号)的所述一个或多个氨基酸残基为电中性氨基酸残基时，所述取代包括：

使所述一个或多个电中性氨基酸残基与一个或多个带正电的氨基酸残基交换，以升高所述抗体的等电点。

3.根据权利要求1所述的方法，其中当所述V_H第7、9、11、14、41、74、84和113位(Kabat编号)的所述一个或多个氨基酸残基为带负电的氨基酸残基时，所述取代包括：

使所述一个或多个带负电的氨基酸残基与一个或多个电中性或带正电的氨基酸残基交换，以升高所述抗体的等电点。

4.根据权利要求1所述的方法，其中当所述V_H第9、70、74、82a和84位(Kabat编号)的所述一个或多个氨基酸残基为电中性氨基酸残基时，所述取代包括：

使所述一个或多个电中性氨基酸残基与一个或多个带负电的氨基酸残基交换，以降低所述抗体的等电点。

5.根据权利要求1所述的方法，其中当所述V_H第9、70、74、82a和84位(Kabat编号)的所述一个或多个氨基酸残基为带正电的氨基酸残基时，所述取代包括：

使所述一个或多个带正电的氨基酸残基与一个或多个电中性或带负电的氨基酸残基交换，以降低所述抗体的等电点。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述抗体为多特异性抗体，并且所述第一多肽和所述第二多肽包含不同的重链可变区。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述取代仅在所述第一多肽或所述第二多肽之一中进行。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述取代在所述第一多肽或所述第二多肽两者中进行。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一多肽的所述一个或多个氨基酸残基取代不同于所述第二多肽的所述一个或多个氨基酸残基取代。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述取代包括：

使所述第一多肽或所述第二多肽的至少一者中第74位(Kabat编号)的所述V_H氨基酸残基与带负电的氨基酸残基交换。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述取代包括：

使所述第一多肽或所述第二多肽的至少一者中第82a位(Kabat编号)的所述V_H氨基酸残基与带负电的氨基酸残基交换。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述取代包括：

使所述第一多肽或所述第二多肽的至少一者中第84位(Kabat编号)的所述V_H氨基酸残基与带负电的氨基酸残基交换。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述取代包括：

使所述第一多肽或所述第二多肽的至少一者中选自第74、82a和84位(Kabat编号)的至少两个位置处的所述V_H氨基酸残基与带负电的氨基酸残基交换。