[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一氧化物；

所述第一氧化物上的第一导电体及第二导电体；

所述第一氧化物上的第三导电体；

所述第一氧化物与所述第三导电体之间的第一绝缘体，该第一绝缘体覆盖所述第三导电体的第一侧面及所述第三导电体的第二侧面；

所述第三导电体及所述第一绝缘体上的第二绝缘体；

位于所述第一导电体上且与所述第二绝缘体的第一侧面接触的第三绝缘体；

位于所述第二导电体上且与所述第二绝缘体的第二侧面接触的第四绝缘体；

与所述第三绝缘体的顶面及侧面接触的第四导电体，该第四导电体与所述第一导电体电连接；以及

与所述第四绝缘体的顶面及侧面接触的第五导电体，该第五导电体与所述第二导电体电连接，

其中，所述第一绝缘体位于所述第三导电体的所述第一侧面与所述第三绝缘体之间，

并且，所述第一绝缘体位于所述第三导电体的所述第二侧面与所述第四绝缘体之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第一绝缘体在所述第一氧化物与所述第三导电体之间具有第一厚度并在所述第一导电体和所述第二导电体的每一个与所述第三导电体之间具有第二厚度，

并且所述第一厚度比所述第二厚度小。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

其中所述第一绝缘体包括在所述第一氧化物与所述第三导电体之间的第五绝缘体，并且包括在所述第一导电体和所述第二导电体的每一个与所述第三导电体之间的所述第五绝缘体及第六绝缘体。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，还包括：

第七绝缘体；以及

第八绝缘体，

其中所述第七绝缘体位于所述第一导电体与所述第三绝缘体之间，

所述第七绝缘体是包含铝和铪中的至少一个的氧化物，

所述第八绝缘体位于所述第二导电体与所述第四绝缘体之间，

并且所述第八绝缘体是包含铝和铪中的至少一个的氧化物。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，还包括第九绝缘体，

其中所述第九绝缘体位于所述第三导电体与所述第一绝缘体之间，

并且所述第九绝缘体是包含铝和铪中的至少一个的氧化物。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述第二绝缘体包括包含铝和铪中的至少一个的氧化物或者包含硅的氮化物。

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述第三绝缘体及所述第四绝缘体包括包含铝和铪中的至少一个的氧化物或者包含硅的氮化物。

8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

其中所述第一氧化物包含In、元素M和Zn，

并且所述元素M为Al、Ga、Y或Sn。

9.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述第一导电体及所述第二导电体包含铝、铬、铜、银、金、铂、钽、镍、钛、钼、钨、铪、钒、铌、锰、镁、锆、铍、铟、钌、铱、锶和镧中的至少一个。

10.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述第一导电体及所述第二导电体包含氮化钽、氮化钛、包含钛和铝的氮化物、包含钽和铝的氮化物、氧化钌、氮化钌、包含锶和钌的氧化物、包含镧和镍的氧化物中的至少一个。

11.根据权利要求1或2所述的半导体装置，还包括第二氧化物，

其中所述第二氧化物位于所述第一氧化物与所述第一绝缘体之间，

并且所述第二氧化物与所述第一导电体的侧面及所述第二导电体的侧面接触。