[发明专利]光电转换元件和光电转换装置有效
申请号: | 201880050811.9 | 申请日: | 2018-05-30 |
公开(公告)号: | CN111033760B | 公开(公告)日: | 2023-01-03 |
发明(设计)人: | 吉河训太;口山崇 | 申请(专利权)人: | 株式会社钟化 |
主分类号: | H01L31/10 | 分类号: | H01L31/10 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 姜越;金雪梅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换 元件 装置 | ||
1.一种光电转换元件,包括具备两个主面的光电转换基板,其中,
包括具有不同的光电转换特性的第1灵敏度部分和第2灵敏度部分,
若将所述第1灵敏度部分的在所述主面显露的灵敏度区域作为第1灵敏度区域,并将所述第2灵敏度部分的在所述主面显露的灵敏度区域作为第2灵敏度区域,则所述第1灵敏度区域接收向所述主面入射的入射光的至少一部分,并成为随着所述主面中的被照射入射光的照射区域的增大而使所述照射区域中的所述第1灵敏度区域相对于所述第2灵敏度区域的比率变小的图案,
所述光电转换基板包含单晶硅材料,
在所述光电转换基板的一个所述主面侧形成有第1导电型半导体层,
在所述光电转换基板的另一所述主面侧形成有第2导电型半导体层,
所述第2灵敏度部分具有比所述第1灵敏度部分低的光电转换特性,
在所述第1灵敏度部分中的所述的两主面侧形成有钝化层,
在所述第2灵敏度部分中的所述的两主面侧的至少一方未形成钝化层。
2.根据权利要求1所述的光电转换元件,其中,
所述第1灵敏度区域在所述主面形成放射状地延伸的至少两条以上的带状的图案。
3.根据权利要求2所述的光电转换元件,其中,
所述第1灵敏度区域形成正交的两条带状的图案。
4.根据权利要求1所述的光电转换元件,其中,
所述第1灵敏度区域在所述主面形成一条带状的图案。
5.根据权利要求2~4中任一项所述的光电转换元件,其中,
所述带状的图案的宽度恒定。
6.根据权利要求2~4中任一项所述的光电转换元件,其中,
所述带状的图案的宽度从所述主面的中心朝向周边变宽。
7.根据权利要求1~4中任一项所述的光电转换元件,其中,
具备输出电流的多个电极,
所述多个电极在周边部分开配置。
8.根据权利要求1所述的光电转换元件,其中,
在所述主面中的受光的一侧的所述主面亦即受光面侧的所述第1灵敏度区域和所述第2灵敏度区域,按顺序形成有所述钝化层、所述第1导电型半导体层和透明电极层,
在所述受光面的相反侧的所述主面亦即背面侧的所述第1灵敏度区域,按顺序形成有所述钝化层、所述第2导电型半导体层和透明电极层,
在所述背面侧的所述第2灵敏度区域未形成所述钝化层、所述第2导电型半导体层以及透明电极层。
9.根据权利要求1所述的光电转换元件,其中,
在所述主面中的受光的一侧的所述主面即受光面的相反侧的所述主面亦即背面侧的所述第1灵敏度区域和所述第2灵敏度区域,按顺序形成有所述钝化层、所述第2导电型半导体层以及透明电极层,
在所述受光面侧的所述第1灵敏度区域,按顺序形成有所述钝化层、所述第1导电型半导体层以及透明电极层,
在所述受光面侧的所述第2灵敏度区域未形成所述钝化层、所述第1导电型半导体层以及透明电极层。
10.一种光电转换装置,其中,
包括:
第1光电转换元件,配置于入射光的上游侧;和
第2光电转换元件,配置于所述入射光的下游侧,并且为权利要求1~9中任一项所述的光电转换元件。
11.根据权利要求10所述的光电转换装置,其中,
还包括运算部,所述运算部基于所述第1光电转换元件的输出电流和所述第2光电转换元件的输出电流,运算所述第2光电转换元件中的入射光的光点尺寸。
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