[发明专利]具有增强的共平面性的微复制型抛光表面

说明书

一种制品包括抛光层，该抛光层包括由多个通道分隔的多个凸起单元。该多个凸起单元中的每个包括：微结构化工作表面；基本上竖直的通道表面；以及偏移表面，该偏移表面位于工作表面的边缘与通道表面的上边缘之间。微结构化工作表面包括多个微结构。该多个微结构的顶部限定顶部平面，并且该多个微结构的基部限定基部平面。基本上竖直的通道表面限定多个通道中的通道的壁，并且通道表面限定通道平面。偏移表面包括移位的材料的非平面部分。移位的材料限定位于基部平面的下方或位于顶部平面的容差内的移位平面。

背景技术

化学机械抛光(CMP)是用于平滑表面形貌的方法。以高速使抛光垫旋转，并且将制品压靠在抛光垫的表面上。在抛光垫与制品之间的接触表面处添加磨料浆液。磨料浆液接触制品并从制品移除材料。

CMP可用于制造集成电路。例如，在集成电路的制造期间，氧化物层可具有通过平版印刷形成的沟槽，并且可将铜层沉积到氧化物层上以填充该沟槽。CMP方法可移除集成电路表面上的任何过量的铜，以暴露氧化物层并且将分离的铜线留在沟槽中。随着半导体制造在始终复杂的集成电路中趋向更小和更密集的特征，在减小的容差下可能需要更大数量的平面化步骤。

发明内容

根据本公开的实施方案，制品包括抛光层。抛光层包括由多个通道分隔的多个凸起单元。该多个凸起单元中的每个包括：微结构化工作表面；基本上竖直的通道表面；以及偏移表面，该偏移表面位于工作表面的边缘与通道表面的上边缘之间。微结构化工作表面包括多个微结构。该多个微结构的顶部限定顶部平面，并且该多个微结构的基部限定基部平面。基本上竖直的通道表面限定多个通道中的通道的壁，并且通道表面限定通道平面。

在一些示例中，系统包括：载体组件，该载体组件被构造成保持基底；抛光垫，该抛光垫包括上述制品；台板，该台板联接到抛光垫；以及抛光液，该抛光液包含流体组分和磨料组分。该系统被构造成相对于基底移动抛光垫。

在一些示例中，方法包括：提供具有主表面的基底、包括上述制品的抛光垫、以及包含流体组分和磨料组分的抛光液。该方法还包括当在抛光垫与基底的主表面之间存在相对运动时，使基底的主表面与抛光垫和抛光液接触。

本发明的一个或多个实施方案的细节在以下附图和说明书中示出。从说明书和附图以及从权利要求中可显而易见本发明的其它特征、目的和优点。

附图说明

在这些附图中，类似的符号表示类似的元件。点线表示可选或功能部件，而虚线表示视图外的部件。

图1示出了利用根据本文所讨论的一些实施方案的制品和方法的示例抛光系统的示意图。

图2示出了根据本文所讨论的一些实施方案的示例抛光垫的一部分的透视顶视图。

图3A为根据本文所讨论的一些实施方案的抛光层的示意图，该抛光层具有以人字形图案布置的多个直的连续通道。

图3B为根据本文所讨论的一些实施方案的抛光层的示意图，该抛光层具有以交叉影线图案布置的多个直的连续通道。

图3C为根据本文所讨论的一些实施方案的抛光层的示意图，该抛光层具有以交叉影线图案布置的多个弯曲的连续通道。

图3D为根据本文所讨论的一些实施方案的抛光层的示意图，该抛光层具有以交叉影线图案布置的多个直的不连续通道。

图4A示出了根据本文所讨论的一些实施方案的示例单元的透视图。

图4B示出了根据本文所讨论的一些实施方案的具有偏移体积的示例单元的透视图。

图4C示出了根据本文所讨论的一些实施方案的具有偏移体积的示例单元的轮廓图。

图5A示出了根据本文所讨论的一些实施方案的示例单元的示意性剖视图。

图5B示出了根据本文所讨论的一些实施方案的示例单元的示意性剖视图。