[发明专利]银纳米线的制造方法以及银纳米线、银纳米线墨及透明导电膜

权利要求书

1.银纳米线的制造方法，其具有在溶解有银化合物、有机保护剂的醇溶剂中使银还原析出为线状的工序，

其中，作为所述有机保护剂的供给源，使用下述粉体：以具有乙烯基吡咯烷酮结构单元的聚合物为主成分、相对于1摩尔所述聚合物以0.002～0.040摩尔的比例含有醋酸酯，

该银纳米线的平均直径D_M为30nm以下。

2.权利要求1所述的银纳米线的制造方法，其中，通过使用所述粉体作为有机保护剂的供给源，还原析出由下述(1)式定义的平均长径比A_M满足下述(2)式的关系的银纳米线，

A_M＝L_M/D_M…(1)

A_M≧45D_M-650…(2)

其中，L_M为该银纳米线的平均长度(nm)，D_M为该银纳米线的平均直径(nm)。

3.权利要求1或2所述的银纳米线的制造方法，其中，所述醋酸酯为醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸丙酯、醋酸丁酯的1种或2种以上。

4.权利要求1～3中任一项所述的银纳米线的制造方法，其中，所述聚合物为PVP(聚乙烯基吡咯烷酮)、或乙烯基吡咯烷酮和亲水性单体的共聚物。

5.权利要求1～3中任一项所述的银纳米线的制造方法，其中，所述聚合物具有乙烯基吡咯烷酮和选自二烯丙基二甲基铵盐、丙烯酸乙酯、丙烯酸2-羟基乙酯、甲基丙烯酸2-羟基乙酯、丙烯酸4-羟基丁酯、N-甲基马来酰亚胺、N-乙基马来酰亚胺、N-丙基马来酰亚胺和N-叔丁基马来酰亚胺中的1种或2种以上的单体的聚合组成。

6.权利要求1～5中任一项所述的银纳米线的制造方法，其中，所述聚合物的重均分子量Mw为30,000～300,000。

7.银纳米线，其通过权利要求1～6中任一项所述的制造方法得到。

8.银纳米线墨，其中，通过权利要求1～6中任一项所述的制造方法得到的银纳米线分散于液态介质中。

9.透明导电膜，其含有通过权利要求1～6中任一项所述的制造方法得到的银纳米线作为导电材料。