[发明专利]包含聚碳硅烷的碳化硅质膜形成组合物、以及使用了其的碳化硅质膜的制造方法

权利要求书

1.一种碳化硅质膜形成组合物，其包含聚碳硅烷以及溶剂，

所述聚碳硅烷的¹H-NMR光谱中的3.92～4.20ppm的累积强度相对于3.60～5.50ppm的累积强度的比率为27～50％，

所述聚碳硅烷的²⁹Si-NMR光谱中的-25～-5ppm的累积强度相对于-40～20ppm的累积强度的比率为38～50％，且，

DEPT²⁹Si-NMR光谱中的-24～-5ppm的累积强度相对于-40～20ppm的累积强度的比率为70～92％，

其中，该¹H-NMR是通过如下操作测得的：

利用蒸发器将经合成而获得的聚碳硅烷去除溶剂，将所获得的聚碳硅烷溶解于氘代溶剂，获得试样溶液，使用JNM-ECS400型核磁共振装置，对试样溶液测定80次，

该²⁹Si-NMR是通过如下操作测得的：

利用蒸发器将经合成而获得的聚碳硅烷去除溶剂，将所获得的聚碳硅烷溶解于氘代溶剂，获得试样溶液，使用JNM-ECS400型核磁共振装置，对试样溶液测定1,000次，

该DEPT²⁹Si-NMR是通过如下操作测得的：

利用蒸发器将经合成而获得的聚碳硅烷去除溶剂，将所获得的聚碳硅烷溶解于氘代溶剂，获得试样溶液，使用JNM-ECS400型核磁共振装置，对试样溶液测定2,000次。

2.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述聚碳硅烷包含以下的重复单元(I)：

式中，R^a是取代或者非取代的亚甲基或次甲基。

3.根据权利要求2所述的组合物，其中，所述R^a是被F取代了的亚甲基或次甲基。

4.根据权利要求2所述的组合物，其中，所述R^a是非取代的亚甲基。

5.根据权利要求2所述的组合物，其中，所述聚碳硅烷中的重复单元(I)中所含的Si原子的个数相对于所述聚碳硅烷中所含的全部的Si原子的个数的比率为0.1～20％。

6.根据权利要求2所述的组合物，其中，所述聚碳硅烷进一步包含以下的重复单元(II)：

式中，R^b是取代或者非取代的亚甲基或次甲基，且R^c各自独立地为氢、取代或者非取代的C₁～C₆烷基、取代或者非取代的C₂～C₆烯基或者取代或者非取代的C₆～C₁₀芳基。

7.根据权利要求6所述的组合物，其中，所述R^b是被F取代了的亚甲基或次甲基。

8.根据权利要求6所述的组合物，其中，所述R^b是非取代的亚甲基，且所述R^c是非取代的甲基。

9.根据权利要求6所述的组合物，其中，所述聚碳硅烷中的重复单元(II)中所含的Si原子的个数相对于所述聚碳硅烷中所含的全部的Si原子的个数的比率为30～50％。

10.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述聚碳硅烷的质均分子量为1,000～4,500。

11.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述聚碳硅烷的红外线吸收光谱中的1080～1145cm^-1处的峰的累积强度相对于936～1077cm^-1处的峰的累积强度的比率为0.6％以下。

12.一种碳化硅质膜的制造方法，其包含如下的工序：将权利要求1～11中任一项所述的组合物涂布于基材，利用加热进行固化。