[发明专利]交换耦合膜以及使用该交换耦合膜的磁阻效应元件及磁检测装置

权利要求书

1.一种交换耦合膜，其特征在于，

由反强磁性层与强磁性层层叠而成，

上述反强磁性层具有由PtCr层、PtMn层及IrMn层以该顺序且上述IrMn层距上述强磁性层更近的方式层叠的构造。

2.如权利要求1所述的交换耦合膜，其中，

上述IrMn层以与上述强磁性层接触的方式被层叠。

3.如权利要求1或2所述的交换耦合膜，其中，

上述PtMn层的膜厚为以上。

4.如权利要求1至3中任一项所述的交换耦合膜，其中，

上述IrMn层的膜厚为以上。

5.如权利要求1至4中任一项所述的交换耦合膜，其中，

上述PtMn层的膜厚与上述IrMn层的膜厚的总和为以上。

6.如权利要求1至5中任一项所述的交换耦合膜，其中，

上述PtCr层的膜厚，比上述PtMn层的膜厚与上述IrMn层的膜厚的总和大。

7.如权利要求6所述的交换耦合膜，其中，

上述PtCr层的膜厚同上述PtMn层的膜厚与上述IrMn层的膜厚的总和之比为5：1～100：1。

8.如权利要求1至7中任一项所述的交换耦合膜，其中，

上述强磁性层的膜厚为以上以下。

9.如权利要求1所述的交换耦合膜，其中，

具有在上述IrMn层与上述强磁性层之间还层叠有PtMn层的构造。

10.一种交换耦合膜，其特征在于，

由反强磁性层与强磁性层层叠而成，

上述反强磁性层具备含有从由白金族元素及Ni构成的群中选择的一种或二种以上的元素X以及Mn及Cr的X(Cr－Mn)层，

上述X(Cr－Mn)层，具有距上述强磁性层相对较近的第1区域、及与上述强磁性层相对较远的第2区域，

上述第1区域中的Mn的含有量，比上述第2区域中的Mn的含有量高。

11.如权利要求10所述的交换耦合膜，其中，

上述第1区域与上述强磁性层接触。

12.如权利要求10或11所述的交换耦合膜，其中，

上述第1区域具有Mn的含有量相对于Cr的含有量的比即Mn/Cr比为0.3以上的部分。

13.如权利要求12所述的交换耦合膜，其中，

上述第1区域具有上述Mn/Cr比为1以上的部分。

14.一种磁阻效应元件，其特征在于，

层叠有权利要求1至13中任一项所述的交换耦合膜与自由磁性层，上述交换耦合膜的强磁性层构成固定磁性层的至少一部分。

15.一种磁检测装置，其特征在于，

具备权利要求14所述的磁阻效应元件。

16.如权利要求15所述的磁检测装置，其中，

在同一基板上具备多个权利要求14所述的磁阻效应元件，

多个上述磁阻效应元件包含上述固定磁性层的固定磁化方向不同的磁阻效应元件。