[发明专利]电磁波屏蔽膜的制造方法有效

专利信息
申请号: 201880051262.7 申请日: 2018-12-24
公开(公告)号: CN111034382B 公开(公告)日: 2022-05-24
发明(设计)人: 崔镐光;文炳晙;李东洙;裵秀康;李承起;李常贤;金兑昱 申请(专利权)人: 韩国科学技术研究院
主分类号: H05K9/00 分类号: H05K9/00;B05D1/02;B05D3/02;B05D7/24
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 姜虎;陈英俊
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电磁波 屏蔽 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种电磁波屏蔽膜的制造方法,用于制造包括电磁波屏蔽层的电磁波屏蔽膜,其特征在于,包括如下步骤:

制造包含分散有金属纳米板的溶剂的金属纳米板溶液;以及

在基板上涂布所述金属纳米板溶液,

通过在涂布有所述金属纳米板溶液的基板上进行热处理工序的步骤来锻炼金属纳米板,

所述热处理工序在100至250℃的温度条件下进行,

以100重量份的所述溶剂为基准,所述金属纳米板溶液包含0.01重量份至80重量份的所述金属纳米板,

在所述涂布步骤中,将金属纳米板以0.2~100mg/cm2的负载量涂布到所述基板上,

所述电磁波屏蔽层具有50nm至500μm范围的厚度,

所述金属纳米板具有2~99μm的直径以及1~1000nm的厚度,

所述溶剂包括选自乙醇、甲醇、二氯甲烷、四氢呋喃、己烷、三氯甲烷以及异丙醇中的一种以上有机溶剂,

所述基板是高分子材料的基板且具有10~200μm的厚度。

2.根据权利要求1所述的电磁波屏蔽膜的制造方法,其特征在于,

进一步包括在涂布有所述金属纳米板溶液的基板上进行热处理工序或还原工序以制造电磁波屏蔽层的步骤。

3.根据权利要求1所述的电磁波屏蔽膜的制造方法,其特征在于,

所述制造方法进一步包括在所述电磁波屏蔽层上形成表面保护层的步骤。

4.根据权利要求1所述的电磁波屏蔽膜的制造方法,其特征在于,

在进行所述涂布工序时,将所述金属纳米板溶液以每次1ml的量涂布2至10次。

5.根据权利要求1所述的电磁波屏蔽膜的制造方法,其特征在于,

通过在涂布有所述金属纳米板溶液的基板上进行还原工序的步骤来锻炼金属纳米板,

所述还原工序为化学还原工序或光学还原工序。

6.一种电磁波屏蔽膜的制造方法,用于制造包括电磁波屏蔽层的电磁波屏蔽膜,其特征在于,包括如下步骤:

对金属纳米板进行热处理工序,以锻炼所述金属纳米板;

在所述热处理工序之后,制造包含经热处理的金属纳米板、高分子树脂以及溶剂的金属纳米板溶液;

对所述金属纳米板溶液进行声波处理以生成预制高分子树脂-金属纳米板复合体;以及

对所述预制高分子树脂-金属纳米板复合体进行干燥工序以制造包含高分子树脂-金属纳米板复合体的电磁波屏蔽层,

其中,所述热处理工序在100至250℃的温度条件下进行,

在所述金属纳米板溶液中,以100重量份的所述溶剂为基准,包含0.01至80重量份的所述高分子树脂及0.01至80重量份的金属纳米板,

所述预制高分子树脂-金属纳米板复合体具有40至550μm范围的厚度,

所述金属纳米板具有2~99μm的直径以及1~1000nm的厚度,

所述溶剂包括选自乙醇、甲醇、二氯甲烷、四氢呋喃、己烷、三氯甲烷以及异丙醇中的一种以上有机溶剂。

7.根据权利要求6所述的电磁波屏蔽膜的制造方法,其特征在于,

所述干燥工序包括:

第一干燥工序,在15至30℃的温度条件下进行;以及

第二干燥工序,在40至60℃的温度条件下进行。

8.根据权利要求6所述的电磁波屏蔽膜的制造方法,其特征在于,

进一步包括:在制造电磁波屏蔽层之后,在所述电磁波屏蔽层上形成表面保护层的步骤。

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