[发明专利]摄像元件、层叠型摄像元件和固态摄像装置

权利要求书

1.一种摄像元件，包括通过层叠第一电极、光电转换层和第二电极而形成的光电转换单元，

在所述第一电极与所述光电转换层之间，形成有包含铟复合氧化物的复合氧化物层，

所述复合氧化物层包括与所述第一电极相邻的第一层和与所述光电转换层相邻的第二层，并且

所述第一层具有比所述第二层更高的铟成分。

2.一种摄像元件，包括通过层叠第一电极、光电转换层和第二电极而形成的光电转换单元，其中

在所述第一电极与所述光电转换层之间，形成有包含铟-镓-锌复合氧化物的复合氧化物层，

所述复合氧化物层包括与所述第一电极相邻的第一层和与所述光电转换层相邻的第二层，

所述第一层具有比所述第二层更高的铟成分，或者

所述第一层具有比所述第二层更低的镓成分，或者

所述第一层具有比所述第二层更高的锌成分。

3.根据权利要求2所述的摄像元件，其中

当所述铟-镓-锌复合氧化物由(ZnO)_X(Ga₂O₃)_1-X、(Ga₂O₃)_Y(In₂O₃)_1-Y、和(In₂O₃)_Z(ZnO)_1-Z表示时，

所述第一层中的X的值大于所述第二层中的X的值，或者

所述第一层中的Y的值低于所述第二层中的Y的值，或者

所述第一层中的Z的值高于所述第二层中的Z的值。

4.根据权利要求3所述的摄像元件，满足0<X<0.875、0<Y<0.875以及0.125<Z<0.875(其中，X+Y+Z＝1.000)。

5.一种摄像元件，包括通过层叠第一电极、光电转换层和第二电极而形成的光电转换单元，其中

在所述第一电极与所述光电转换层之间，形成有包含铟复合氧化物的复合氧化物层，

所述复合氧化物层包括与所述第一电极相邻的第一层和与所述光电转换层相邻的第二层，并且

所述第一层具有比所述第二层更高的载流子迁移率。

6.根据权利要求5所述的摄像元件，满足：

1×10^-6≤(所述第二层的载流子迁移率)/(所述第一层的载流子迁移率)≤0.1。

7.一种摄像元件，包括通过层叠第一电极、光电转换层和第二电极而形成的光电转换单元，其中

在所述第一电极与所述光电转换层之间，形成有包含铟复合氧化物的复合氧化物层，

所述复合氧化物层包括与所述第一电极相邻的第一层和与所述光电转换层相邻的第二层，并且

所述第一层具有比所述第二层更低的状态密度。

8.根据权利要求1、2、5和7中任一项所述的摄像元件，其中，所述复合氧化物层是非晶态的。

9.根据权利要求1、2、5和7中任一项所述的摄像元件，其中，所述光电转换单元还包括绝缘层和电荷累积电极，所述电荷累积电极与所述第一电极分离地设置并且隔着所述绝缘层面对着所述复合氧化物层。

10.根据权利要求9所述的摄像元件，还包括位于所述第一电极与所述电荷累积电极之间的传输控制电极，所述传输控制电极与所述第一电极和所述电荷累积电极分离地布置，并且隔着所述绝缘层面对着所述复合氧化物层。

11.根据权利要求9所述的摄像元件，还包括电荷排出电极，所述电荷排出电极连接到所述复合氧化物层，并与所述第一电极和所述电荷累积电极分离地设置。