[发明专利]摄像元件、层叠式摄像元件和固态摄像装置

权利要求书

1.一种摄像元件，其包括光电转换单元，所述光电转换单元是通过把第一电极、光电转换层和第二电极层叠起来而形成的，

其中，在所述第一电极与所述光电转换层之间，从所述第一电极侧形成有第一半导体材料层和第二半导体材料层，并且所述第二半导体材料层与所述光电转换层接触，

所述光电转换单元还包括绝缘层和电荷累积电极，所述电荷累积电极与所述第一电极分开布置着，且所述电荷累积电极隔着所述绝缘层面对着所述第一半导体材料层，并且

当所述第一半导体材料层的电子迁移率由μ₁表示，并且所述第二半导体材料层的电子迁移率由μ₂表示时，满足μ₂<μ₁。

2.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，当所述第二半导体材料层的电离势由IP₂表示，并且所述光电转换层的电离势由IP₀表示时，满足IP₀<IP₂。

3.根据权利要求2所述的摄像元件，其中，当所述光电转换层的电子迁移率由μ₀表示时，满足μ₀≤μ₂。

4.根据权利要求2所述的摄像元件，其中，当所述第一半导体材料层的电子亲和力由EA₁表示，所述第二半导体材料层的电子亲和力由EA₂表示，所述光电转换层的电子亲和力由EA₀表示时，满足EA₀≤EA₂≤EA₁。

5.根据权利要求3所述的摄像元件，其中，当所述第一半导体材料层的电子亲和力由EA₁表示，所述第二半导体材料层的电子亲和力由EA₂表示，所述光电转换层的电子亲和力由EA₀表示时，满足EA₀≤EA₂≤EA₁。

6.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，当所述光电转换层的电子迁移率由μ₀表示时，满足μ₀≤μ₂。

7.根据权利要求6所述的摄像元件，其中，当所述第一半导体材料层的电子亲和力由EA₁表示，所述第二半导体材料层的电子亲和力由EA₂表示，所述光电转换层的电子亲和力由EA₀表示时，满足EA₀≤EA₂≤EA₁。

8.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，当所述第一半导体材料层的电子亲和力由EA₁表示，所述第二半导体材料层的电子亲和力由EA₂表示，所述光电转换层的电子亲和力由EA₀表示时，满足EA₀≤EA₂≤EA₁。

9.一种摄像元件，其包括光电转换单元，所述光电转换单元是通过把第一电极、光电转换层和第二电极层叠起来而形成的，

其中，在所述第一电极与所述光电转换层之间，从所述第一电极侧形成有第一半导体材料层和第二半导体材料层，并且所述第二半导体材料层与所述光电转换层接触，

所述光电转换单元还包括绝缘层和电荷累积电极，所述电荷累积电极与所述第一电极分开布置着，且所述电荷累积电极隔着所述绝缘层面对着所述第一半导体材料层，并且

当所述第二半导体材料层的电离势由IP₂表示，所述光电转换层的电离势由IP₀表示时，满足IP₀<IP₂。