[发明专利]多工器

权利要求书

1.一种多工器，具备一端被公共连接且通带不同的N个弹性波滤波器，在此，N为2以上的整数，其中，

在将所述N个弹性波滤波器从通带的频率低的一方起依次设为弹性波滤波器1、弹性波滤波器2、…、弹性波滤波器N的情况下，所述N个弹性波滤波器中的除通带的频率最高的弹性波滤波器以外的至少一个弹性波滤波器n包含一个以上的弹性波谐振器，其中，1≤n＜N，

所述一个以上的弹性波谐振器中的第t个弹性波谐振器t具有：

支承基板，具有欧拉角(φ_Si，θ_Si，ψ_Si)，并由硅构成；

氮化硅膜，层叠在所述支承基板上；

氧化硅膜，层叠在所述氮化硅膜上；

压电体，层叠在所述氧化硅膜上，具有欧拉角(φ_LT，θ_LT，ψ_LT)，并由钽酸锂构成，其中，所述φ_LT在0°±5°的范围内，所述ψ_LT在0°±15°的范围内；以及

IDT电极，设置在所述压电体上，

在所述弹性波谐振器t中，在将由所述IDT电极的电极指间距决定的波长设为λ时，将通过所述波长λ进行了归一化的厚度设为波长归一化厚度，将所述压电体的波长归一化厚度设为T_LT，将所述压电体的欧拉角设为θ_LT，将所述氧化硅膜的波长归一化厚度设为T_S，将所述氮化硅膜的波长归一化厚度设为TN，将通过将所述IDT电极的密度除以铝的密度的值与所述IDT电极的波长归一化厚度之积求出的、换算为铝的厚度的所述IDT电极的波长归一化厚度设为TF，将所述支承基板内的传播方向设为ψ_Si，将所述支承基板的波长归一化厚度设为T_Si的值，在该情况下，由通过所述T_LT、所述θ_LT、所述T_S、所述T_N、所述T_E、所述ψ_Si、所述T_Si决定的下述的式(1)以及式(2)决定的第一高阶模、第二高阶模以及第三高阶模的频率f_{hs_t}⁽ⁿ⁾中的至少一个和具有频率比所述弹性波滤波器n的通带的频率高的通带的全部的弹性波滤波器m满足下述的式(3)或下述的式(4)，其中，n＜m≤N，s为1、2或3，在s为1时，表示第一高阶模的频率，在s为2时，表示第二高阶模的频率，在s为3时，表示第三高阶模的频率，

[数学式1]

[数学式2]

所述f_{hs_t}⁽ⁿ⁾表示所述弹性波滤波器n包含的所述弹性波谐振器t中的与所述s对应的高阶模的频率，

所述λ_t⁽ⁿ⁾是由所述弹性波滤波器n包含的所述弹性波谐振器t中的所述IDT电极的电极指间距决定的波长，

所述f_u^(m)是所述弹性波滤波器m中的通带的高频侧端部的频率，

所述f₁^(m)是所述弹性波滤波器m中的通带的低频侧端部的频率，

对于所述s的每个值以及所述支承基板的每个晶向，所述式(1)中的各系数为下述的表1、表2或表3所示的各个值，

[表1]

[表2]

[表3]