[发明专利]驱动电沉积元件的驱动电路和驱动方法在审

专利信息
申请号: 201880051995.0 申请日: 2018-08-10
公开(公告)号: CN111033374A 公开(公告)日: 2020-04-17
发明(设计)人: 菊地幸大;宫川和典;持塚多久男 申请(专利权)人: 株式会社村上开明堂
主分类号: G02F1/163 分类号: G02F1/163;G02F1/19
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 驱动 沉积 元件 电路 方法
【权利要求书】:

1.一种驱动电路,施加用于使电沉积元件的透射状态变化的电压,

所述驱动电路构成为:

在所述电沉积元件为规定的透射状态时,向所述电沉积元件中包括的电离的材料提供能量,来使该电离的材料振动,

在要使所述电沉积元件从所述规定的透射状态变化为透射率比该规定的透射状态的透射率低的消光状态时,向所述电沉积元件施加超过预先设定的晶体成核电压的规定的电压,

所述晶体成核电压为用于在所述电沉积元件中包括的电极生成所述电离的材料的晶核的电压。

2.根据权利要求1所述的驱动电路,其特征在于,

所述驱动电路具备脉冲生成部和析出开始电压生成部,

所述脉冲生成部构成为:在所述电沉积元件为规定的透射状态时,生成脉冲来作为用于向所述电沉积元件中包括的电离的材料提供能量来使所述电离的材料振动的电压,并以规定的周期向所述电沉积元件连续地施加该脉冲,

所述析出开始电压生成部构成为:在要使所述电沉积元件从所述规定的透射状态变化为透射率比该规定的透射状态的透射率低的消光状态时,生成规定的析出开始电压来作为使所述电离的材料开始析出的电压,并向所述电沉积元件施加该析出开始电压,

所述脉冲为以预先设定的、用于使在所述电沉积元件中包括的电极生成的所述电离的材料的晶核生长的晶体生长电压为基准、来使该晶体生长电压上下地变化的电压,

所述析出开始电压为超过预先设定的、用于在所述电沉积元件中包括的电极生成所述电离的材料的晶核的晶体成核电压的电压。

3.根据权利要求2所述的驱动电路,其特征在于,

将所述晶体成核电压以下且所述晶体生长电压以上的规定的电压设为第一电压,将比所述晶体生长电压小的规定的电压设为第二电压,

所述脉冲生成部构成为:基于预先设定的频率、所述第一电压、所述第二电压、以及该第一电压与该第二电压的占空比来生成与所述频率对应的周期的所述脉冲的图案,并向所述电沉积元件连续地施加该脉冲的图案。

4.根据权利要求3所述的驱动电路,其特征在于,

所述脉冲生成部构成为:在连续地施加包括所述第二电压的所述脉冲的图案时,在施加所述第二电压的期间中,使从该驱动电路向所述电沉积元件施加电压的电路开路或短路来取代施加该第二电压。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的驱动电路,其特征在于,

所述规定的透射状态为完全透射状态。

6.根据权利要求3或4所述的驱动电路,其特征在于,

所述脉冲生成部构成为:在所述电沉积元件为所述完全透射状态时,生成所述脉冲的图案来作为完全透射用脉冲的图案,并向所述电沉积元件连续地施加该完全透射用脉冲的图案,

所述析出开始电压生成部构成为:在要使所述电沉积元件从所述完全透射状态变化为所述消光状态时,向所述电沉积元件施加所述析出开始电压,

所述脉冲生成部构成为:在所述电沉积元件为与所述消光状态对应的透射状态时,生成与所述完全透射用脉冲的图案不同的透射用脉冲的图案,并向所述电沉积元件连续地施加该透射用脉冲的图案,其中,所述消光状态是伴随由所述析出开始电压生成部施加所述析出开始电压而发生变化形成的,

所述完全透射用脉冲的图案为使所述电沉积元件为所述完全透射状态的图案,

所述透射用脉冲的图案为将所述电沉积元件保持为透射率比所述完全透射状态的透射率低的透射状态的图案。

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