[发明专利]互连件的钴填充

权利要求书

1.一种用于钴的电解沉积的组合物，包含：

钴离子源；

抑制剂化合物；

缓冲剂；和

均匀度增强剂，其中所述均匀度增强剂选自乙氧基化,丙氧基化三异丙醇胺、乙氧基化,丙氧基化乙二胺、乙氧基化,丙氧基化二亚乙基三胺、乙氧基化,丙氧基化三亚乙基四胺以及前述化合物中的一者或多者的组合；

其中所述组合物不包含促进剂；

其中所述组合物具有小于1mg/L的二价硫化合物浓度；

其中所述组合物不含镍离子；以及

其中所述组合物被配置用于电镀钴且沉积物中C、O、N、Cl和S的总杂质按重量计小于5,000ppm。

2.根据权利要求1所述的组合物，其中所述组合物至少不含能够将二价钴离子还原为金属钴的任何功能浓度的还原剂。

3.根据权利要求1所述的组合物，还包含应力减轻剂，其中所述应力减轻剂包括糖精，其中糖精的浓度在10与300ppm之间。

4.根据权利要求1所述的组合物，其中所述抑制剂选自炔丙醇、乙氧基化炔丙醇、乙氧基化炔丙醇与1,4-丁二醇二缩水甘油醚的反应产物、二乙二醇双(2-丙炔基)醚、1,4-双(2-羟基乙氧基)-2-丁炔、2-丁炔-1,4-二醇、乙氧基化和/或丙氧基化炔丙醇化合物以及前述化合物中的一者或多者的组合。

5.根据权利要求4所述的组合物，其中所述抑制剂包含乙氧基化炔丙醇。

6.根据权利要求1所述的组合物，其中所述缓冲剂包含硼酸。

7.根据权利要求1所述的组合物，其中pH在1.5与7之间。

8.根据权利要求7所述的组合物，其中pH在2.5与3.5之间。

9.根据权利要求1所述的组合物，包含：

1与50g/L之间的钴离子；

1与250mg/L之间的抑制剂化合物；

10与4000mg/L之间的均匀度增强剂；

5与50g/L之间的缓冲剂；以及

余量为水。

10.根据权利要求7所述的组合物，包含：

5与10g/L之间的钴离子；

15与65mg/L之间的选自炔丙醇和乙氧基化炔丙醇的抑制剂；

100与1000mg/L之间的均匀度增强剂；

15与40g/L之间的缓冲剂；以及

余量为水。

11.根据权利要求1所述的组合物，包含小于20ppb铜离子。

12.根据权利要求1所述的组合物，还包含去极化化合物，所述去极化化合物选自炔丙基磺酸钠、丁炔二酸、丙烯酸、丙炔酸以及它们的混合物。

13.根据权利要求12所述的组合物，其中所述去极化化合物包含炔丙基磺酸钠。