[发明专利]通电控制装置

说明书

通电控制装置具有设于电源与负载之间且并联连接的多个半导体开关，通过该半导体开关的通断来控制所述电源与负载之间的通电。所述多个半导体开关包括第一半导体开关和第二半导体开关。通电控制装置具备：驱动电路，通过对所述第一半导体开关施加比所述电源输出的电压值高的电压，使所述第一半导体开关进行导通动作；开关控制部，使所述第二半导体开关进行导通动作；及电阻，与所述第二半导体开关的电源侧的端子串联连接，使施加于该端子的电压下降。

技术领域

本发明涉及一种通电控制装置。

本申请主张基于2017年8月31日提交的日本专利申请第2017-167995号的优先权，并援引上述日本申请中所记载的全部内容。

背景技术

现在，车辆上都搭载有从电源(蓄电池)通电的车内灯、加热器及刮水器等多个电气设备(负载)。从电源向负载的通电即电力的供给是由通电控制装置(电力供给控制装置)来进行控制的(参照专利文献1)。

专利文献1中记载的通电控制装置的半导体开关并联连接在从电源到负载的电流路径上。并且，该通电控制装置具备用于驱动各个并联连接的半导体开关的驱动电路(激励电路)。

专利文献1中记载的半导体开关为n沟道型FET，负载相对于半导体开关连接在接地侧。通常，由于半导体开关的导通电阻与负载的电阻相比极小，因此由电源输出的电压的电压值与该负载的两端的电位差、即由该负载引起的电压下降值大致相等。

因此，n沟道型FET的源极侧的电压值即以接地作为基准电位时的电位差与由电源输出的电压的电压值大致相等。为了使作为n沟道型FET的半导体开关导通，需要对n沟道型FET的栅极端子施加在源极侧的电压值上加上由该半导体开关的特性所决定的阈值电压后的电压。驱动电路是通过进行升压来生成在源极侧的电压值上加上阈值电压值的电压、即比由电源输出的电压值高的电压并将该升压后的电压施加在n沟道型FET的栅极端子上的电路，通常被称为自举电路。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-239132号公报

发明内容

本公开的实施方式之一涉及的通电控制装置具有设于电源与负载之间且并联连接的多个半导体开关，通过该半导体开关的通断来控制上述电源与负载之间的通电，上述多个半导体开关包含第一半导体开关和第二半导体开关，上述通电控制装置具备：驱动电路，通过对所述第一半导体开关施加比所述电源输出的电压值高的电压，使所述第一半导体开关进行导通动作；开关控制部，使所述第二半导体开关进行导通动作；及电阻，与所述第二半导体开关的电源侧的端子串联连接，使施加于该端子的电压降低。

附图说明

图1是表示实施方式1涉及的电源系统的主要部分的结构的模块图。

图2是表示实施方式1涉及的控制部的处理顺序的流程图。

图3是表示实施方式2涉及的电源系统的主要部分的结构的模块图。

图4是表示实施方式2涉及的控制部的处理顺序的流程图。

图5是表示实施方式3涉及的电源系统的主要部分的结构的模块图。

图6是表示实施方式3涉及的控制部的处理顺序的流程图。

具体实施方式

本发明所要解决的课题

为了对应各半导体开关来设置驱动电路，需要与半导体开关的个数相当的驱动电路，因而电路结构变得复杂。而且，在构成为对于各半导体开关设置单独的驱动电路、将来自该单独的驱动电路的输出并列地分流而施加于各半导体开关的情况下，当该单独的驱动电路出现异常时，不能进行升压，所有半导体开关都不能导通。