[发明专利]磁传感器

说明书

第一磁阻元件(120a、120b)包含：第一图案部，从与绝缘层正交的方向观察，位于被至少两个磁性体构件(40)中的相邻地配置的磁性体构件(40)彼此夹着的区域(T)的内部；以及第二图案部，位于上述区域(T)的外部。第一图案部以及第二图案部各自具有相互不同的图案形状，使得与第一图案部以及第二图案部各自具有相互相同的图案形状的情况相比较，第一磁阻元件(120a、120b)中的检测灵敏度被均衡化。

技术领域

本发明涉及磁传感器，特别涉及包含磁阻元件的磁传感器。

背景技术

作为公开了磁传感器的结构的在先文献，有日本特开2013-44641号公报(专利文献1)以及国际公开第2016/013345号(专利文献2)。

在专利文献1记载的磁传感器具备传感器电路部。传感器电路部具备第一串联电路和第二串联电路。在第一串联电路中，第一磁阻元件和第三磁阻元件串联连接。在第二串联电路中，第二磁阻元件和第四磁阻元件串联连接。传感器电路部由并联连接了第一串联电路和第二串联电路的桥电路构成。

第一磁阻元件、第二磁阻元件、第三磁阻元件以及第四磁阻元件各自的表面被绝缘层覆盖。在第三磁阻元件以及第四磁阻元件各自的表面上，隔着绝缘层形成有由磁性材料构成的磁性体层。

在专利文献2记载的磁传感器具备第一磁阻元件以及电阻变化率比第一磁阻元件小的第二磁阻元件。作为所谓的感磁元件的第一磁阻元件包含配置为同心圆状的图案。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-44641号公报

专利文献2：国际公开第2016/013345号

发明内容

发明要解决的课题

在专利文献1记载的磁传感器中，被测定磁场被磁性体构件聚磁而使其磁场分布变得不均匀，因此存在能够抑制根据被测定磁场的方向的磁传感器的检测灵敏度的变动的余地。

在专利文献2记载的磁传感器中，通过磁阻元件的图案形状提高了磁场检测的各向同性，但是并未考虑设置了磁性体层的情况。

本发明是鉴于上述的问题而完成的，其目的在于，提供一种抑制了由对被测定磁场进行聚磁的磁性体构件产生的、根据被测定磁场的方向的检测灵敏度的变动的磁传感器。

用于解决课题的技术方案

基于本发明的第一方面的磁传感器具备第一磁阻元件、第二磁阻元件、绝缘层、和第一磁性体构件以及与第一磁性体构件不同的第二磁性体构件中的至少第一磁性体构件。第二磁阻元件与第一磁阻元件电连接而构成桥电路。绝缘层覆盖第一磁阻元件以及第二磁阻元件。第一磁性体构件以及第二磁性体构件位于绝缘层上。第一磁阻元件具有外周缘以及内周缘中的至少外周缘。第一磁性体构件从与绝缘层正交的方向观察位于比第一磁阻元件的外周缘靠内侧的区域。第二磁阻元件从与绝缘层正交的方向观察位于比第一磁阻元件的内周缘靠内侧的区域并被第一磁性体构件覆盖，或者位于比第一磁阻元件的外周缘靠外侧的区域并被第二磁性体构件覆盖。第一磁性体构件的形成数、或者第一磁性体构件的形成数与第二磁性体构件的形成数的合计为两个以上。第一磁阻元件包含：第一图案部，从与绝缘层正交的方向观察，位于被第一磁性体构件以及第二磁性体构件中的相邻地配置的磁性体构件彼此夹着的区域的内部；以及第二图案部，位于上述区域的外部。第一图案部以及第二图案部各自具有相互不同的图案形状，使得与第一图案部以及第二图案部各自具有相互相同的图案形状的情况相比较，第一磁阻元件中的检测灵敏度被均衡化。