[发明专利]处理液、试剂盒、基板的清洗方法

说明书

本发明提供一种处理液，其为半导体器件用处理液，且对处理对象物的防腐性、残渣物去除性及缺陷抑制性优异。并且，提供一种试剂盒及对使用上述处理液的基板进行清洗的方法。一种处理液，其为半导体器件用处理液，且包含水、有机溶剂及2种以上的含氮芳香族杂环化合物。

技术领域

本发明涉及一种处理液、试剂盒及基板的清洗方法。

背景技术

使用光刻技术，在基板上形成精细的电子电路图案来制造CCD(Charge-CoupledDevice，电荷耦合器件)及存储器等半导体器件。半导体器件例如通过在基板上配置作为布线材料的金属层及具有蚀刻停止膜及层间绝缘膜的层叠体，在该层叠体上形成抗蚀剂膜，并实施光刻步骤及干式蚀刻步骤(例如、等离子体蚀刻处理)来制造。

具体而言，在光刻步骤中，将所得到的抗蚀剂膜作为掩模，通过干式蚀刻处理对基板上的金属层及/或层间绝缘膜进行蚀刻。

并且，源自金属层及/或层间绝缘膜等的残留可能附着于基板、金属层及/或层间绝缘膜。为了去除该附着的残留，通常使用处理液进行清洗的情况较多。

并且，接着，通过基于灰化(Ashing)的干式方法(干灰化)或湿式方法等从层叠体去除蚀刻时用作掩模的抗蚀剂膜。使用干灰化方法来去除抗蚀剂的层叠体中可能附着有源自抗蚀剂膜等的残留。为了去除该附着的残留，通常使用处理液进行清洗的情况较多。

另一方面，作为用于去除抗蚀剂膜的湿式方法，可举出使用处理液来去除抗蚀剂膜的方式。

如上所述，处理液在半导体器件制造步骤中用于去除残留(蚀刻残渣物及灰化残渣物)及/或抗蚀剂膜等。

例如，在专利文献1中公开有作为防腐剂包含5-甲基-1H-苯并三唑(5MBTA)的清洁组合物。

以往技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利第9562211号说明书

发明内容

发明要解决的技术课题

本发明人等对专利文献1中所记载的清洁组合物(处理液)进行研究的结果，确认到上述处理液可能对作为布线材料及插头材料等的金属层(例如，包含Co的金属层、包含W的金属层及包含Cu的金属层等)进行腐蚀。即，关于处理液明确了对处理对象物的防腐性具有进一步改善的余地。

对处理液不断要求进一步提高残渣物去除性。

并且，现如今随着布线的精细化，要求更进一步降低附着于基板上的粒子状的缺陷(异物)。即，对处理液要求缺陷抑制性。

因此，本发明的课题在于提供一种半导体器件用处理液，该处理液对处理对象物的防腐性、残渣物去除性及缺陷抑制性优异。

并且，本发明的课题在于提供一种试剂盒及对使用上述处理液的基板进行清洗的方法。

用于解决技术课题的手段

本发明人等为了实现上述问题而进行深入研究的结果，发现如下情况而完成了本发明，即，通过处理液包含2种以上的含氮芳香族杂环化合物(优选包含含氮芳香族杂环化合物(A)及含氮芳香族杂环化合物(B))能够解决上述问题。

即，发现了通过以下的结构能够实现上述目的。

(1)一种处理液，其为半导体器件用处理液，包含：

水；

有机溶剂；及

2种以上的含氮芳香族杂环化合物。

(2)根据(1)所述的处理液，其中，