[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效

专利信息
申请号: 201880052567.X 申请日: 2018-06-15
公开(公告)号: CN111052314B 公开(公告)日: 2023-10-03
发明(设计)人: 吉田幸史 申请(专利权)人: 株式会社斯库林集团
主分类号: H01L21/304 分类号: H01L21/304
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 宋晓宝;向勇
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 处理 装置 方法
【说明书】:

基板处理装置(1)具备有:第1清洗液供给部(3),其将碱性或酸性的第1清洗液供给至基板(9)的主表面(91);及第2清洗液供给部(4),其将含有增粘剂并且具有较第1清洗液高的粘度的第2清洗液供给至主表面(91)。在第1清洗液及第2清洗液中的一清洗液存在于主表面(91)的状态下,另一清洗液被供给至主表面(91)。由此,可更确实地去除基板(9)的主表面(91)上不需要的物质。

技术领域

发明涉及基板处理装置及基板处理方法。

背景技术

以往,在半导体基板(以下简称为“基板”)的制程中,会对基板的表面进行清洗处理。例如,在日本特表2012-533649号公报中,揭示有自基板表面将污染物质去除的清洗剂。该清洗剂具备有溶剂与由1个以上的高分子化合物所构成的聚合物,该聚合物具备有自基板的表面将污染物质捕捉并加以引入的较长的聚合物链。另外,该清洗剂的粘度为约10cP(centipoise;厘泊)~约100000cP的范围。

再者,在山内慎及另外两位所发表的“利用PTV(粒子追踪测速术;Particletracking velocimetry)的液液二相流的水滴界面附近的流动测量”(多相流、日本多相流学会、2000年、第14卷、第4号、p.466-472)中,在玻璃制的薄壁圆管内充满硅油,以摄影机拍摄使含有追踪粒子(tracer particle)的离子交换水(ion-exchanged water)的水滴在硅油内沉降的状况,由此确认在水滴的内部有涡状流动的发生。

然而,即便在使用清洗液的情形时,仍有无法适当地去除基板的主表面上的不需要的物质(微粒等)的情形。因此,需要寻求使用清洗液而更确实地去除基板的主表面上的不需要的物质的新方法。

发明内容

本发明面向基板处理装置,其目的在于提供更确实地去除基板的主表面上的不需要的物质的新方法。

本发明的基板处理装置具备有:第1清洗液供给部,其将碱性或酸性的第1清洗液供给至基板的主表面;以及第2清洗液供给部,其将含有增粘剂并且具有较上述第1清洗液高的粘度的第2清洗液供给至上述主表面;在上述第1清洗液及上述第2清洗液中的一清洗液存在于上述主表面的状态下,另一清洗液被供给至上述主表面。

根据本发明,可更确实地去除基板的主表面上不需要的物质。

在本发明一优选方式中,基板处理装置进一步具备有:冲洗液供给部,其在上述第1清洗液及上述第2清洗液被供给至上述主表面的后,对上述主表面供给冲洗液。

在本发明另一优选方式中,基板处理装置进一步具备有:基板保持部,其以水平的姿势保持上述基板;及基板旋转机构,其以垂直于上述主表面的轴为中心使上述基板保持部进行旋转;通过上述基板旋转机构对上述基板的旋转,被形成于上述主表面上的上述第1清洗液与上述第2清洗液的界面沿着上述主表面移动。

在该情形时,优选基板处理装置进一步具备有:控制部,其对上述第1清洗液供给部及上述第2清洗液供给部进行控制;通过上述控制部的控制,在上述一清洗液的液膜被形成于上述主表面上的状态下,上述另一清洗液被供给至上述主表面。

更佳通过上述另一清洗液被供给至上述主表面,在上述主表面上上述一清洗液被去除,并形成有上述另一清洗液的液膜,通过上述控制部的控制,在上述另一清洗液的液膜被形成于上述主表面上的状态下,上述一清洗液被供给至上述主表面。

在本发明的又一优选方式中,上述第1清洗液供给部或上述第2清洗液供给部具有将清洗液的液滴喷出的双流体喷嘴。

在本发明又一优选方式中,上述第1清洗液及上述第2清洗液为相同种类的清洗液。

在本发明一态样中,上述第1清洗液所包含增粘剂的浓度较上述第2清洗液低,或者,上述第1清洗液未含有增粘剂。

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