[发明专利]用于检测电磁辐射的组件以及生产用于检测电磁辐射的组件的方法

权利要求书

1.一种用于检测电磁辐射的组件，包括：

具有主表面(11)的半导体器件(1)，所述半导体器件(1)包括半导体晶圆，所述主表面(11)处具有有源像素阵列(2)，所述有源像素阵列(2)集成在所述半导体晶圆中；

一个或更多个读出电路芯片(3)，其安装在所述有源像素阵列(2)的区域外部的主表面(11)的外围上，所述一个或更多个读出电路芯片(3)被配置为读出由所述有源像素阵列(2)提供的电压或电流，以及

所述有源像素阵列(2)与所述一个或更多个读出电路芯片(3)之间的电连接(8、10)。

2.根据权利要求1所述的组件，其中，所述半导体晶圆是单晶的。

3.根据权利要求1所述的组件，其中，所述半导体晶圆具有最多四个包括金属或多晶硅的互连层。

4.根据权利要求1至3之一所述的组件，其中，所述有源像素阵列(2)包括NMOS晶体管、PMOS晶体管或NMOS和PMOS晶体管两者。

5.根据权利要求1至4之一所述的组件，其中，所述有源像素阵列(2)的每个像素(12)包括至少三个晶体管。

6.根据权利要求1至5之一所述的组件，其中，所述有源像素阵列(2)的每个像素(12)包括至多二十个有源晶体管。

7.根据权利要求4至6之一所述的组件，还包括：所述一个或更多个读出电路芯片(3)的另外的晶体管，所述有源像素阵列(2)的晶体管的晶体管特征尺寸至少等于或大于所述另外的晶体管的相对应的晶体管特征尺寸。

8.根据权利要求4至6之一所述的组件，还包括：所述一个或更多个读出电路芯片(3)的另外的晶体管，所述有源像素阵列(2)的晶体管的晶体管特征尺寸至少是所述另外的晶体管的相对应的晶体管特征尺寸的两倍。

9.根据权利要求1至8之一所述的组件，其中，所述有源像素阵列(2)与所述一个或更多个读出电路芯片(3)之间的电连接(8、10)包括焊料球(8)。

10.根据权利要求1至8之一所述的组件，其中，所述有源像素阵列(2)与所述一个或更多个读出电路芯片(3)之间的电连接(8、10)包括引线(10)。

11.根据权利要求1至10之一所述的组件，还包括：

具有电互连件(6)的板(5)，所述半导体器件(1)安装在所述板(5)上并且电连接到所述电互连件(6)。

12.根据权利要求11所述的组件，还包括：

将所述半导体器件(1)电连接到所述板(5)的电互连件(6)的焊料球(7)或焊料凸块。

13.根据权利要求11或12所述的组件，还包括：

将所述半导体器件(1)电连接到所述一个或更多个读出电路芯片(3)和/或电连接到所述板(5)的电互连件(6)的引线(9、10)。

14.一种生产用于检测电磁辐射的组件的方法，包括：

在半导体晶圆上集成有源像素阵列(2)，从而形成半导体器件(1)，

设置一个或更多个读出电路芯片(3)，

将所述一个或更多个读出电路芯片(3)安装在所述有源像素阵列(2)的区域外部的所述半导体器件(1)的外围上，以及

在所述有源像素阵列(2)与所述一个或更多个读出电路芯片(3)之间形成电连接(8、10)。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，将单晶晶圆用作所述半导体晶圆，并且所述半导体器件(1)形成为覆盖超过所述晶圆的主表面(11)的整个面积的30％。