[发明专利]磁膜

权利要求书

1.一种磁膜，包含分布在所述磁膜的相对的第一主表面和第二主表面之间的铁和铜，所述铜在距所述第一主表面的第一深度d1处具有第一原子浓度C1，并且在距所述第一主表面的第二深度d2处具有第二峰值原子浓度C2，d2d1，C2/C1≥5，其中所述磁膜包括形成导电磁岛状物的二维阵列的多个互连的通道，所述通道至少部分地抑制由磁场在所述磁膜内感应的涡电流，每个磁岛状物包含在所述岛状物内部具有峰值原子浓度的铜，对于基本上沿所述磁膜的横向方向外加的直流磁场，所述磁膜包括相应的测得的直流磁导率μ'和矫顽磁力H_C，μ'/H_c≥1000。

2.一种磁膜，包含分布在所述磁膜的相对的第一主表面和第二主表面之间的铁和铜，所述铜在所述第一主表面和第二主表面处具有原子浓度C1和C2，并且在所述膜的位于所述第一主表面和所述第二主表面之间的内部区域中具有峰值原子浓度C3，C3/Cs≥5，Cs是C1和C2中的较大者，其中所述磁膜包括形成导电磁岛状物的二维阵列的多个互连的通道，所述通道至少部分地抑制由磁场在所述磁膜内感应的涡电流，每个磁岛状物包含在所述岛状物内部具有峰值原子浓度的铜，对于基本上沿所述磁膜的横向方向外加的直流磁场，所述磁膜包括相应的测得的直流磁导率μ'和矫顽磁力H_C，μ'/H_c≥1000。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的磁膜，包含含有铁、硅、硼、铌和铜的合金，其中所述铜的至少一部分已与所述合金实现相分离，并且从更远离所述磁膜的第一主表面的所述磁膜的第一区域迁移到更靠近所述第一主表面的所述磁膜的第二区域，使得所述第二区域具有比所述第一区域更高的铜原子％浓度。

4.根据权利要求1或权利要求2所述的磁膜，包含铁、硅和分布在其中的多个铜颗粒，其中所述铜颗粒在所述磁膜的厚度方向上不均匀地分布。

5.根据权利要求1或权利要求2所述的磁膜，包含分散在其中的多个铜颗粒，使得所述铜在自所述磁膜的第一主表面起并且远离所述第一主表面50nm的深度内具有第一峰值原子浓度。