[发明专利]硅晶圆的边缘形状的评价方法及评价装置、硅晶圆、及其筛选方法及制造方法

权利要求书

1.一种硅晶圆的边缘形状的评价方法，其特征在于，

作为用于评价所述硅晶圆的晶圆截面中的边缘形状的形状参数，定义为：

所述硅晶圆的倒角部的最前端的晶圆径向的位置定为径向基准L1，从该径向基准L1向晶圆中心方向进入450μm的晶圆径向的位置定为径向基准L2，该径向基准L2与晶圆主表面的交点定为P1，包含该点P1且表示该点P1的晶圆高度位置的面定为高度基准面L3，

在所述倒角部中，从所述高度基准面L3向垂直方向远离h1的倒角部表面的点定为Px2，从所述高度基准面L3向垂直方向远离h2的倒角部表面的点定为Px3，通过所述点Px2及所述点Px3两点的直线定为Lx，其中，所述h1和所述h2的单位为μm，

所述直线Lx与所述高度基准面L3所形成的角的锐角侧的角定为θx，

所述直线Lx与所述高度基准面L3的交点定为Px0，从该点Px0向晶圆中心方向进入δ的晶圆表面的位置定为点Px1，通过该点Px1、所述点Px2及所述点Px3三点的圆的半径定为Rx，其中，所述δ和所述Rx的单位为μm，

此时，测量所述硅晶圆的边缘形状，

设定所述h1、所述h2及所述δ的形状参数的值，基于所述边缘形状的测量数据，按照所述定义而计算所述Rx及所述θx的形状参数，根据该计算出的所述Rx及所述θx判定硅晶圆的边缘形状而进行评价。

2.一种硅晶圆的筛选方法，其特征在于，

通过如权利要求1所述的硅晶圆的边缘形状的评价方法判定所述硅晶圆的边缘形状，并基于该判定结果进行所述硅晶圆的筛选。

3.一种硅晶圆的制造方法，其特征在于，

通过如权利要求1所述的硅晶圆的边缘形状的评价方法判定所述硅晶圆的边缘形状，并基于该判定结果设定接下来制造的硅晶圆的所述形状参数而进行制造。

4.根据权利要求3所述的硅晶圆的制造方法，其特征在于，

在判定所述硅晶圆的边缘形状时，

所述h1定为15μm，所述h2定为30μm，所述δ定为30μm；

在设定所述接下来制造的硅晶圆的所述形状参数时，

所述Rx定为在240μm以上，所述θx定为在27deg以下。

5.一种硅晶圆的边缘形状的评价装置，其特征在于，

作为用于评价所述硅晶圆的晶圆截面中的边缘形状的形状参数，定义为：

所述硅晶圆的倒角部的最前端的晶圆径向的位置定为径向基准L1，从该径向基准L1向晶圆中心方向进入450μm的晶圆径向的位置定为径向基准L2，该径向基准L2与晶圆主表面的交点定为P1，包含该点P1且表示该点P1的晶圆高度位置的面定为高度基准面L3，

在所述倒角部中，从所述高度基准面L3向垂直方向远离h1的倒角部表面的点定为Px2，从所述高度基准面L3向垂直方向远离h2的倒角部表面的点定为Px3，通过所述点Px2及所述点Px3两点的直线定为Lx，其中，所述h1和所述h2的单位为μm，

所述直线Lx与所述高度基准面L3所形成的角的锐角侧的角定为θx，

所述直线Lx与所述高度基准面L3的交点定为Px0，从该点Px0向晶圆中心方向进入δ的晶圆表面的位置定为点Px1，通过该点Px1、所述点Px2及所述点Px3三点的圆的半径定为Rx，其中，所述δ和所述Rx的单位为μm，

其中，所述评价装置具备：

测量机构，测量所述硅晶圆的边缘形状；以及

分析机构，对通过该测量机构测量的所述边缘形状的测量数据进行分析，

其中，所述分析机构具备：

输入部，对所述h1、所述h2及所述δ的形状参数的值进行数据输入；

运算部，根据数据输入至该输入部的所述h1、所述h2及所述δ的值，基于所述边缘形状的测量数据，按照所述定义计算所述Rx及所述θx的形状参数；以及

输出部，对由该运算部所计算出的所述Rx及所述θx进行数据输出。