[发明专利]半导体器件、半导体器件封装和自动聚焦装置

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；以及

在所述衬底上的多个发射器，

其中，所述发射器包括：

第一导电型反射层，所述第一导电型反射层具有第一反射率；

有源层，所述有源层在所述第一导电型反射层上；

孔径层，所述孔径层在所述有源层上并且包括孔径区域和围绕所述孔径区域的阻挡区域；以及

第二导电型反射层，所述第二导电型反射层在所述孔径层上并且具有小于所述第一反射率的第二反射率，

其中，所述孔径层的孔径区域的直径与节距之间的比率在1:3至1:5的范围中，

其中，所述节距被定义为相邻发射器的孔径层的孔径区域的中心之间的距离，

其中，所述半导体器件具有饱和区，在高于室温的温度下，所述半导体器件在所述饱和区的最大输出是饱和的，并且

其中，当所述孔径层的孔径区域的直径与所述节距满足所述比率时，所述半导体器件获得所述饱和区的所述最大输出。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电型反射层被公共地连接到所述多个发射器。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

第一电极，所述第一电极被布置在所述第一导电型反射层下方；以及

第二电极，所述第二电极被布置成沿着所述第二导电型反射层的边缘。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第二电极被公共地连接到所述多个发射器。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，进一步包括：

连接器，所述连接器被布置在相邻发射器之间；以及

结合焊盘，所述结合焊盘与所述多个发射器间隔开，并且所述结合焊盘被连接到所述连接器。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，

所述第二电极具有环形形状，以及

所述半导体器件包括发光区域，所述发光区域由所述第二导电型反射层的顶面的未被所述第二电极覆盖的区域限定。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，高于所述室温的温度是驱动所述半导体器件时的温度。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述节距在40μm至45μm的范围中。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述孔径层的孔径区域的直径在9μm至13μm的范围中。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述孔径层的孔径区域的直径与所述节距之间的比率在1:3.75至1:4的范围中。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述孔径层的孔径区域的直径在10μm至12μm的范围中。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述发射器的数量在360至400的范围中以获得所述饱和区的所述最大输出。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述器件包括台面区域，所述台面区域包括所述多个发射器和相邻发射器之间的区域，

其中，所述台面区域的拐角区域的形状对应于所述多个发射器之中的最外面的发射器的形状。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述台面区域的拐角区域具有圆形形状。

15.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述台面区域的拐角区域与所述最外面的发射器之间的间隔等于所述台面区域的中心处的相邻发射器之间的间隔。

16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述台面区域的拐角区域与所述最外面的发射器之间的间隔在5μm至9μm的范围中。