[发明专利]具有多个嵌入式电极的基板支撑件有效
申请号: | 201880053380.1 | 申请日: | 2018-07-19 |
公开(公告)号: | CN110998782B | 公开(公告)日: | 2022-11-25 |
发明(设计)人: | P·A·克劳斯;T·C·楚;赵在龙 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖;张鑫 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 嵌入式 电极 支撑 | ||
1.一种基板支撑组件,包括:
多个第一电极,所述多个第一电极在基板支撑件内,所述多个第一电极中的每个电极与所述多个第一电极中的每个其他电极电隔离且共面,其中所述多个第一电极中的每个电极被配置为通过与基板的区域的电容耦合来向所述基板的所述区域提供脉冲DC功率;
第二电极,所述第二电极设置在所述基板支撑件内,并且与所述多个第一电极电隔离,用于将所述基板电夹持到所述基板支撑件;以及
开关系统,所述开关系统包括:
多个第一开关,所述多个第一开关中的每个开关电耦合到所述多个第一电极中的一个电极;以及
多个第二开关,所述多个第二开关中的每个开关电耦合到所述多个第一电极中的一个电极。
2.如权利要求1所述的基板支撑组件,其中所述多个第一电极中的每个电极的至少一部分与所述第二电极共面。
3.如权利要求1所述的基板支撑组件,其中所述多个第一电极中的一个或多个电极的至少一部分比所述第二电极更靠近所述基板支撑件的基板支撑表面。
4.如权利要求1所述的基板支撑组件,其中所述第二电极包括单一导体。
5.如权利要求1所述的基板支撑组件,其中所述多个第一开关中的每个开关是固态开关,所述固态开关被配置为以高达100kHz的频率切换。
6.一种处理腔室,包括:
一个或多个侧壁和底部,所述一个或多个侧壁和所述底部界定处理容积;
基板支撑件,所述基板支撑件包括:
多个第一电极,所述多个第一电极在所述基板支撑件内,所述多个第一电极中的每个电极与所述多个第一电极中的每个其他电极电隔离且共面,其中所述多个第一电极中的每个电极被配置为通过与基板的区域的电容耦合而向所述基板的所述区域提供脉冲DC偏压;以及
第二电极,所述第二电极设置在所述基板支撑件内,并与所述多个第一电极电隔离,用于将所述基板电夹持到所述基板支撑件;以及
开关系统,所述开关系统包括:
多个第一开关,所述多个第一开关中的每个开关被配置为提供第一循环DC电压,其中所述多个第一开关中的每个开关电耦合到所述多个第一电极中的一个电极;以及
多个第二开关,所述多个第二开关中的每个开关被配置为提供第二循环DC电压,其中所述多个第二开关中的每个开关电耦合到所述多个第一电极中的一个电极。
7.如权利要求6所述的处理腔室,其中所述多个第一电极中的每个电极的至少一部分与所述第二电极共面。
8.如权利要求6所述的处理腔室,其中所述多个第一电极中的一个或多个电极的至少一部分比所述第二电极更靠近所述基板支撑件的基板支撑表面。
9.如权利要求6所述的处理腔室,其中所述第二电极包括单一导电材料部分。
10.一种处理基板的方法,包括:
使处理气体流到处理腔室中;
从所述处理气体形成等离子体;
使用设置在基板支撑件中的夹持电极而将基板电夹持到设置在所述处理腔室的所述基板支撑件,所述基板支撑件包括第一介电层和第二介电层;以及
通过开关系统向设置在所述基板支撑件中的多个偏压电极提供多个循环DC电压,其中每个相应的循环DC电压通过与所述基板的区域的电容耦合而向所述基板的所述区域提供单独的脉冲DC偏压,且其中所述开关系统包括:多个第一开关,所述多个第一开关中的每个开关电耦合到所述多个第一电极中的一个电极;以及多个第二开关,所述多个第二开关中的每个开关电耦合到所述多个第一电极中的一个电极。
11.如权利要求10所述的方法,其中所述多个循环DC电压包括多于一个极性。
12.如权利要求10所述的方法,其中所述多个循环DC电压包括在10Hz与100kHz之间的多于一个频率。
13.如权利要求10所述的方法,其中所述夹持电极包括单一导电材料部分。
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