[发明专利]具有双嵌入式电极的基板支撑件

权利要求书

1.一种基板支撑组件，包括：

基板支撑件，包括：

第一介电层，所述第一介电层用于支撑基板，所述第一介电层设置在第二介电层上；

第一电极，所述第一电极设置在所述第一介电层和所述第二介电层之间，用于通过所述第一介电层的电容来将脉冲DC功率电容耦合至所述基板；以及

第二电极，所述第二电极用于通过在所述基板和所述第二电极之间提供电位从而将所述基板电夹持到所述基板支撑件，其中所述第二电极与所述第一电极电隔离，

其中所述第一电极包括：平面部分；多个导电特征，所述多个导电特征设置在所述平面部分与基板支撑表面之间；以及多个连接器，所述多个连接器将所述平面部分电耦合到所述多个导电特征，

其中所述平面部分包括多个径向部分和围绕所述基板支撑件的中心同心地设置的多个方位角部分，并且其中所述多个径向部分中的每一个径向部分接触多于一个方位角部分。

2.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述第一电极和所述第二电极具有交叉结构。

3.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述第一电极的至少一部分比所述第二电极更靠近基板支撑表面。

4.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述第一电极的第一表面积与所述第二电极的第二表面积的比例小于80比10。

5.如权利要求4所述的基板支撑组件，其中所述第一介电层设置在所述第一电极的至少一部分与基板支撑表面之间，并且具有在2 μm与200 μm之间的厚度。

6.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述第一介电层包括形成在所述第二介电层之上的介电涂层，并且所述多个导电特征设置在所述第二介电层上。

7.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述第一介电层具有在5 μm与200 μm之间的厚度。

8.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述第一介电层具有在100 V/μm与200 V/μm之间的击穿电压。

9.一种处理腔室，包括：

一个或多个侧壁和底部，所述一个或多个侧壁和所述底部界定处理容积；以及

基板支撑组件，所述基板支撑组件设置在所述处理容积中，包括：

冷却基座，所述冷却基座由导热材料形成；

基板支撑件，所述基板支撑件热耦合到所述冷却基座，所述基板支撑件包括第一介电材料层和第二介电材料层；

第一电极，所述第一电极设置在所述第一介电材料层和所述第二介电材料层之间，用于通过所述第一介电材料层的电容将脉冲DC功率电容耦合到基板；以及

第二电极，所述第二电极用于通过在所述基板和所述第二电极之间提供电位而将所述基板电夹持到所述基板支撑件，其中所述第二电极与所述第一电极电隔离，

其中所述第一电极包括：平面部分；多个导电特征，所述多个导电特征设置在所述平面部分与基板支撑表面之间；以及多个连接器，所述多个连接器将所述平面部分电耦合到所述多个导电特征，

其中所述平面部分包括多个径向部分和围绕所述基板支撑件的中心同心地设置的多个方位角部分，并且其中所述多个径向部分中的每一个径向部分接触多于一个方位角部分。

10.如权利要求9所述的处理腔室，其中所述第一电极和所述第二电极的至少一部分平面地设置。

11.如权利要求9所述的处理腔室，其中所述第一电极的至少一部分比所述第二电极更靠近基板支撑表面。