[发明专利]量测参数确定和量测配方选择

说明书

一种方法，该方法包括：对于使用图案化工艺创建的具有偏置的第一目标结构和不同偏置的第二目标结构的量测目标，获得包括用于第一目标结构的信号数据与用于第二目标结构的信号数据之间关系的量测数据，该量测数据是针对多个不同量测配方获得的，并且每个量测配方指定不同的测量参数；确定通过针对多个不同量测配方的量测数据的统计的拟合曲线或拟合函数作为参考；以及标识至少两个不同量测配方，所述至少两个不同量测配方的集体量测数据从所述参考的参数的变化超过或满足特定阈值。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年6月30日提交的EP申请17178949.8的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及用于例如在通过光刻技术对器件的制造中可使用的检查(例如，量测)的方法和设备，并且涉及使用光刻技术制造器件的方法。

背景技术

光刻设备是将期望的图案施加到衬底上、通常施加到衬底的目标部分上的机器。光刻设备例如可以被使用在集成电路(IC)的制造中。在那种情形中，可替代地被称为掩模或掩模版的图案化装置可以被用来生成要被形成在IC的个体层上的电路图案。可以将这种图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的一部分、一个管芯或若干管芯)上。图案的转移通常是经由成像到在衬底上提供的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上的。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。

实施图案化工艺(即，创建涉及图案化(诸如光刻曝光或压印)的器件或其它结构的工艺，其通常可以包括一个或多个相关联的处理步骤，诸如抗蚀剂的显影、蚀刻等)的重要方面包括显影工艺本身，对其进行设置以进行监视和控制，然后对工艺本身进行实际监视和控制。假设图案化工艺的基本原理的配置，诸如(一个或多个)图案化装置图案、(一个或多个)抗蚀剂类型、光刻后工艺步骤(诸如显影、蚀刻等)，则期望在图案化工艺中对设备进行设置以用于将图案转移到衬底上，显影一个或多个量测目标以监视该工艺，设置量测过程以测量量测目标，然后基于测量来实施监视和/或控制该工艺的过程。

因此，在图案化工艺中，期望确定(例如，使用对图案化工艺的一个或多个方面进行建模的一个或多个模型来测量、仿真等)一个或多个感兴趣参数，诸如结构的临界尺寸(CD)、在衬底中或衬底上形成的连续层之间的套刻误差(即，连续层的不希望的和无意的未对准)等。

期望为由图案化工艺创建的结构确定这样的一个或多个感兴趣参数，并使用它们以用于与图案化工艺相关的设计、控制和/或监视，例如用于工艺设计、控制和/或验证。所确定的图案化结构的一个或多个感兴趣参数可以被用于图案化工艺设计、校正和/或验证、缺陷检测或分类、产出估计和/或工艺控制。

因此，在图案化工艺中，经常期望对所创建的结构进行测量，例如以用于工艺控制和验证。用于进行这种测量的各种工具是已知的，包括常常被用来测量临界尺寸(CD)的扫描电子显微镜，以及用于测量套刻的专用工具，测量套刻是对器件中的两层对准的准确度的度量。可以根据两层之间的未对准程度来描述套刻，例如，参考所测量的1nm的套刻可以描述其中两层未对准为1nm的情形。

已经开发出各种形式的检查设备(例如，量测设备)以用于在光刻领域中使用。这些器件将辐射光束引导到目标上，并测量重定向的(例如散射的)辐射的一个或多个属性——例如，作为波长的函数的在单个反射角处的强度；作为反射角的函数的在一个或多个波长处的强度；或作为反射角的函数的偏振——以获得“光谱”，从其中可以确定目标的感兴趣属性。可以通过各种技术来确定感兴趣属性：例如，通过诸如严格耦合的波分析或有限元方法之类的迭代方法来对目标进行重构；库搜索；和主成分分析。